一．采购人名称：
之江实验室
二．单一来源编号：
ZJLAB-JZ-DY*
三．采购项目名称：
800G光发射机芯片多项目晶圆有源流片
四．采购项目概况：
序号：1
项目名称：800G光发射机芯片多项目晶圆有源流片
数量：1
单位：项
预算金额： 45万元人民币
简要规格描述：
除标准硅光CMOS工艺外，本次流片需要：
1. 器件带宽大于35 GHz的高速调制器阵列；
2. 金属布线层数≥2；
3. 耦合损耗小于2dB的边缘耦合器PDK器件；
4. 边缘耦合器+调制器+波分复用器整体损耗≤14dB；
5. 满足波分复用器件的最小线宽/线距为140nm/140nm；
五．拟采用的采购方式：
单一来源采购方式
六．申请理由：
800G硅基光发射机芯片课题组目前已经研制模斑转换器，波分复用器，硅基调制器阵列以及光功率监测器等设计仿真以及部分器件联合设计，目前已经完成一次标准CMOS工艺流片以及两次标准CMOS工艺的多项目晶圆（MPW）流片与测试。
按照任务书要求，需要完成至少四次流片来优化硅基发射机芯片与电驱动芯片的兼容封装方案，需要在前期器件设计参数的基础上对800G发射机芯片重新进行结构优化以及集成版图设计，目前项目已经进入第三年，考虑到回片时间，需要在2022年进行。
七．拟定供应商：
1、拟定供应商名称
Advanced Micro Foundry Pte Ltd (AMF)
2、拟定供应商地址
11 Science Park Road Science Park 2 Singapore *
八．论证专业人员信息及意见：
专业人员姓名：樊中朝
专业人员工作单位： (略) 半导体研究所
专业人员职称：研究员
专业人员姓名：李志华
专业人员工作单位： (略) 微电子研究所
专业人员职称：研究员
专业人员姓名：程秀兰
专业人员工作单位：上海交通大学
专业人员职称：研究员
具体论证意见：
根据“800G光发射机芯片”项目需求，需要用多项目晶圆（MPW）验证设计芯片的可行性。根据项目器件设计需求，流片条件需满足140nm线宽线距的硅基有源/无源器件工艺及相应的PDK。 项目组调研了IMEC、AMF、CompoundTek和CUMEC等四家国内外主流的硅 (略) 。其中IMEC、CompoundTek和CUMEC项目组未在其流片验证，性能未得到相应数据验证。CompoundTek线距不满足140nm需求，CUMEC无法提供项目设计需要的双层金属工艺。 本项目已在AMF进行过完整的晶圆流片，芯片测试结果达到项目指标。且AMF提供140nm线宽/线距工艺和双层金属工艺，可实现系统插损≤14dB，调制器带宽≥35GHz。 基于上述原因，同意AMF为本次项目流片的唯一合格供应商。
注：AMF公司在国内没有代理商，直接从厂商进口采购。
经专家组讨论，一致认为本次申请理由充分、合理，同意采用单一来源采购。
九．其它事项：
本项目公告期限为5个工作日，供应商对该项目拟采用单一来源采购方式及其理由和相关需求有异议的，可以在公示期限内（截止时间为本公示发布之日后的第6个工作日），以书面形式向采购人提出异议。
十．联系方式
采购人名称：之江实验室
联系人：柳老师
联系电话：0571-*
地址： (略) 文一西路1818号之江实验室

一．采购人名称：
之江实验室
二．单一来源编号：
ZJLAB-JZ-DY*
三．采购项目名称：
800G光发射机芯片多项目晶圆有源流片
四．采购项目概况：
序号：1
项目名称：800G光发射机芯片多项目晶圆有源流片
数量：1
单位：项
预算金额： 45万元人民币
简要规格描述：
除标准硅光CMOS工艺外，本次流片需要：
1. 器件带宽大于35 GHz的高速调制器阵列；
2. 金属布线层数≥2；
3. 耦合损耗小于2dB的边缘耦合器PDK器件；
4. 边缘耦合器+调制器+波分复用器整体损耗≤14dB；
5. 满足波分复用器件的最小线宽/线距为140nm/140nm；
五．拟采用的采购方式：
单一来源采购方式
六．申请理由：
800G硅基光发射机芯片课题组目前已经研制模斑转换器，波分复用器，硅基调制器阵列以及光功率监测器等设计仿真以及部分器件联合设计，目前已经完成一次标准CMOS工艺流片以及两次标准CMOS工艺的多项目晶圆（MPW）流片与测试。
按照任务书要求，需要完成至少四次流片来优化硅基发射机芯片与电驱动芯片的兼容封装方案，需要在前期器件设计参数的基础上对800G发射机芯片重新进行结构优化以及集成版图设计，目前项目已经进入第三年，考虑到回片时间，需要在2022年进行。
七．拟定供应商：
1、拟定供应商名称
Advanced Micro Foundry Pte Ltd (AMF)
2、拟定供应商地址
11 Science Park Road Science Park 2 Singapore *
八．论证专业人员信息及意见：
专业人员姓名：樊中朝
专业人员工作单位： (略) 半导体研究所
专业人员职称：研究员
专业人员姓名：李志华
专业人员工作单位： (略) 微电子研究所
专业人员职称：研究员
专业人员姓名：程秀兰
专业人员工作单位：上海交通大学
专业人员职称：研究员
具体论证意见：
根据“800G光发射机芯片”项目需求，需要用多项目晶圆（MPW）验证设计芯片的可行性。根据项目器件设计需求，流片条件需满足140nm线宽线距的硅基有源/无源器件工艺及相应的PDK。 项目组调研了IMEC、AMF、CompoundTek和CUMEC等四家国内外主流的硅 (略) 。其中IMEC、CompoundTek和CUMEC项目组未在其流片验证，性能未得到相应数据验证。CompoundTek线距不满足140nm需求，CUMEC无法提供项目设计需要的双层金属工艺。 本项目已在AMF进行过完整的晶圆流片，芯片测试结果达到项目指标。且AMF提供140nm线宽/线距工艺和双层金属工艺，可实现系统插损≤14dB，调制器带宽≥35GHz。 基于上述原因，同意AMF为本次项目流片的唯一合格供应商。
注：AMF公司在国内没有代理商，直接从厂商进口采购。
经专家组讨论，一致认为本次申请理由充分、合理，同意采用单一来源采购。
九．其它事项：
本项目公告期限为5个工作日，供应商对该项目拟采用单一来源采购方式及其理由和相关需求有异议的，可以在公示期限内（截止时间为本公示发布之日后的第6个工作日），以书面形式向采购人提出异议。
十．联系方式
采购人名称：之江实验室
联系人：柳老师
联系电话：0571-*
地址： (略) 文一西路1818号之江实验室