采购项目名称：探测器制备工艺参数测试件-高纯锗晶体
采购单位：清华大学锦屏地下实验室
付款方式：合同签订后70%，验收合格后30%
签约时间要求：成交后15个工作日内
交货时间要求：签订合同后120个工作日内
交货地址：清华大学锦屏地下实验室
技术参数及配置要求：1.高纯锗晶体要求纯度要达到13N，位错密度小于5000/cm2； 2.主要参数要求具体如下： 1)N型，dia(直径）=50mm (+0/+1)，L(长度)=30mm(+0/+1)；杂质浓度＜1.0*10^10 /cm^3，位错＜5000/cm^2，3块； 2)P型，dia(直径）=50mm (+0/+1)，L(长度)=30mm(+0/+1)；杂质浓度＜1.0*10^10 /cm^3，位错＜5000/cm^2，2块； 3)P型，dia(直径）=50mm (+0/+1)，L(长度)=30mm(+0/+1)；杂质浓度＜1.5*10^10 /cm^3，位错＜5000/cm^2，2块； 4)P型，dia(直径）=50mm (+0/+1)，L(长度)=30mm(+0/+1)；杂质浓度＜2.0*10^10 /cm^3，位错＜5000/cm^2，1块。
质保期：12个月
供应商报名地址：点击进入

采购项目名称：探测器制备工艺参数测试件-高纯锗晶体
采购单位：清华大学锦屏地下实验室
付款方式：合同签订后70%，验收合格后30%
签约时间要求：成交后15个工作日内
交货时间要求：签订合同后120个工作日内
交货地址：清华大学锦屏地下实验室
技术参数及配置要求：1.高纯锗晶体要求纯度要达到13N，位错密度小于5000/cm2； 2.主要参数要求具体如下： 1)N型，dia(直径）=50mm (+0/+1)，L(长度)=30mm(+0/+1)；杂质浓度＜1.0*10^10 /cm^3，位错＜5000/cm^2，3块； 2)P型，dia(直径）=50mm (+0/+1)，L(长度)=30mm(+0/+1)；杂质浓度＜1.0*10^10 /cm^3，位错＜5000/cm^2，2块； 3)P型，dia(直径）=50mm (+0/+1)，L(长度)=30mm(+0/+1)；杂质浓度＜1.5*10^10 /cm^3，位错＜5000/cm^2，2块； 4)P型，dia(直径）=50mm (+0/+1)，L(长度)=30mm(+0/+1)；杂质浓度＜2.0*10^10 /cm^3，位错＜5000/cm^2，1块。
质保期：12个月
供应商报名地址：点击进入