采购项目名称：RIE反应离子刻蚀机
采购单位： (略) 清华大学
付款方式：合同签订后50%，验收合格后50%
签约时间要求：成交后5个工作日内
交货时间要求：签订合同后3个工作日内
交货地址： (略) 清华大学
技术参数及配置要求：适用范围：采用RIE反应离子诱导激发方式，实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行RIE反应离子刻蚀。具体包括：介电材料（SiO2、SiNx等）、硅基材料（Si，a-Si，poly Si）、III-V材料（GaAs、InP、GaN等）、溅射金属（Au、Pt、Ti、Ta、W等）、类金刚石（DLC） 技术参数： 1、PLC工控机控制，7寸彩色触摸屏互动操作界面，图形化操作界面显示，自动监测工艺参数状态，0~99配方程序，可存储、输出、追溯工艺数据，机器运行、停止提示。 2、手动、自动两种工作模式。 3、全真空管路系统采用316不锈钢材质。 4、采用防腐数字流量计控制，标配双路气体输送系统，可选多气路气体输送系统，可输入氧气、氩气、氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。 5、具备HEPA高效过滤气体返填吹扫功能。 6、人体功能学的60度倾角操作界面设计，操作方便，界面友好。 7、采用顶置真空仓，上开盖设计，下压式铰链开关方式。上置式360度水平取放样品设计。 8、最大处理直径200mm晶元硅片。 9、安全保护，仓门打开，自动关闭电源。 10、舱体内尺寸：H38xΦ260mm。 11、舱体容积：2L，最大处理尺寸：≤154mm 12、射频电源：13.56MHz，射频功率10-300W无极可调。 13、电极：不锈钢气浴RIE电极，Φ200mm。 14、自动匹配器。 15、RIE刻蚀方式。 16、气体控制：质量流量计（MFC）（标配双路，可选多路）流量范围0-500SCCM（可调）。
质保期：12个月
供应商报名地址：点击进入

采购项目名称：RIE反应离子刻蚀机
采购单位： (略) 清华大学
付款方式：合同签订后50%，验收合格后50%
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交货地址： (略) 清华大学
技术参数及配置要求：适用范围：采用RIE反应离子诱导激发方式，实现对材料表面各向异性的微结构刻蚀。适用于所有的基材及复杂的几何构形进行RIE反应离子刻蚀。具体包括：介电材料（SiO2、SiNx等）、硅基材料（Si，a-Si，poly Si）、III-V材料（GaAs、InP、GaN等）、溅射金属（Au、Pt、Ti、Ta、W等）、类金刚石（DLC） 技术参数： 1、PLC工控机控制，7寸彩色触摸屏互动操作界面，图形化操作界面显示，自动监测工艺参数状态，0~99配方程序，可存储、输出、追溯工艺数据，机器运行、停止提示。 2、手动、自动两种工作模式。 3、全真空管路系统采用316不锈钢材质。 4、采用防腐数字流量计控制，标配双路气体输送系统，可选多气路气体输送系统，可输入氧气、氩气、氮气、四氟化碳、氢气或混合气等气体。 5、具备HEPA高效过滤气体返填吹扫功能。 6、人体功能学的60度倾角操作界面设计，操作方便，界面友好。 7、采用顶置真空仓，上开盖设计，下压式铰链开关方式。上置式360度水平取放样品设计。 8、最大处理直径200mm晶元硅片。 9、安全保护，仓门打开，自动关闭电源。 10、舱体内尺寸：H38xΦ260mm。 11、舱体容积：2L，最大处理尺寸：≤154mm 12、射频电源：13.56MHz，射频功率10-300W无极可调。 13、电极：不锈钢气浴RIE电极，Φ200mm。 14、自动匹配器。 15、RIE刻蚀方式。 16、气体控制：质量流量计（MFC）（标配双路，可选多路）流量范围0-500SCCM（可调）。
质保期：12个月
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