转移单层MoS2/50nm氧化硅片清采比选号采购公告

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转移单层MoS2/50nm氧化硅片清采比选号采购公告

采购项目名称:转移单层MoS2/50nm 氧化硅片
采购单位: (略) 清华大学
付款方式:货到付款100%
签约时间要求:成交后5个工作日内
交货时间要求:签订合同后10个工作日内
交货地址: (略) 清华大学
技术参数及配置要求:1. 转移单层MoS2/50nm 氧化硅片,数量15片,规格型号T-MoS2/50SiO2,材料特性是N型半导体,厚0.65nm,用AFM测试, 也可用Raman光谱或PL光谱表征。 2. 转移hBN/50nm氧化硅片,数量10片,规格型号hBN/50SiO2,材料特性绝缘体薄膜,厚2nm,用AFM测试,也可用光学显微。 3. 转移单层MoS2+hBN/50nm 氧化硅片,数量10片,规格型号MoS2/hBN/50SiO2,N型半导体,厚2.65nm,使用AFM测试,也可用Raman光谱或PL光谱。 4. 转移2层PtSe2/50nm 氧化硅片,数量48片,规格型号2PtSe2/50SiO2,P型半导体,厚1.2nm,用AFM测试,也可是拉曼光谱或光学显微。 5. 转移2层PtSe2+hBN/50nm 氧化硅片,数量10片,规格型号2PtSe2/hBN/50SiO2,P型半导体,厚3.2nm,用AFM测试,也可使用拉曼光谱或光学显微。 6. 转移三角单层MoS2/50nm氧化硅片,数量12片,规格型号T-MoS2/50SiO2,N型半导体,厚0.65nm,用AFM测试,其他表征方式 Raman光谱或PL光谱光学显微。 7. 转移3层PdSe2薄膜/50nm氧化硅片,数量15片,规格型号3PdSe2/50SiO2,P型半导体,厚1.8nm,用AFM测试,其他表征方式拉曼光谱或光学显微。
质保期:12个月
供应商报名地址:点击进入

采购项目名称:转移单层MoS2/50nm 氧化硅片
采购单位: (略) 清华大学
付款方式:货到付款100%
签约时间要求:成交后5个工作日内
交货时间要求:签订合同后10个工作日内
交货地址: (略) 清华大学
技术参数及配置要求:1. 转移单层MoS2/50nm 氧化硅片,数量15片,规格型号T-MoS2/50SiO2,材料特性是N型半导体,厚0.65nm,用AFM测试, 也可用Raman光谱或PL光谱表征。 2. 转移hBN/50nm氧化硅片,数量10片,规格型号hBN/50SiO2,材料特性绝缘体薄膜,厚2nm,用AFM测试,也可用光学显微。 3. 转移单层MoS2+hBN/50nm 氧化硅片,数量10片,规格型号MoS2/hBN/50SiO2,N型半导体,厚2.65nm,使用AFM测试,也可用Raman光谱或PL光谱。 4. 转移2层PtSe2/50nm 氧化硅片,数量48片,规格型号2PtSe2/50SiO2,P型半导体,厚1.2nm,用AFM测试,也可是拉曼光谱或光学显微。 5. 转移2层PtSe2+hBN/50nm 氧化硅片,数量10片,规格型号2PtSe2/hBN/50SiO2,P型半导体,厚3.2nm,用AFM测试,也可使用拉曼光谱或光学显微。 6. 转移三角单层MoS2/50nm氧化硅片,数量12片,规格型号T-MoS2/50SiO2,N型半导体,厚0.65nm,用AFM测试,其他表征方式 Raman光谱或PL光谱光学显微。 7. 转移3层PdSe2薄膜/50nm氧化硅片,数量15片,规格型号3PdSe2/50SiO2,P型半导体,厚1.8nm,用AFM测试,其他表征方式拉曼光谱或光学显微。
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