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GaN晶圆加工单一来源公示

招标
辽宁省
发布：2024-07-05

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GaN晶圆加工单一来源公示

项目编号：Dlmu-FS-*

项目名称：GaN晶圆加工

公示时间：**日- **日

拟成交单位：无锡 (略)

采购预算：93900元

采购内容：E-mode GaN 集成晶圆3片，蓝宝石衬底 2片，硅衬底1片。光罩版数据提供*方无偿使用。实现耐压250V和350V。

技术指标如下：

350V emode GaN

参数	描述	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
GaN FET 特性
BVDSS	漏源耐压	VGS=0V,VDS=350V	350			V
IDSS	漏源漏电流	VGS=0V,VDS=350V		0.2	25	uA
RDSON	导通电阻	Vgate=6V, IDS=4A TC=27℃		87	100	mΩ
VSD	源漏的反向导通电压	VPWM=6V, ISD=4A		3.5	5	V
QOSS	输出电荷	VDS=350V, VPWM=0V		19		nC
QRR	反向恢复电荷	VDS=350V, VPWM=0V		0		nC
Coss	输出电容	VDS=350V, VPWM=0V		21		pF

250V emode GaN

参数	描述	测试条件	最小值	典型值	最大值	单位
GaN FET 特性
BVDSS	漏源耐压	VGS=0V,VDS=250V	250			V
IDSS	漏源漏电流	VGS=0V,VDS=250V		0.2	25	uA
RDSON	导通电阻	Vgate=6V, IDS=4A TC=27℃		87	100	mΩ
VSD	源漏的反向导通电压	VPWM=6V, ISD=4A		3.5	5	V
QOSS	输出电荷	VDS=250V, VPWM=0V		21.5		nC
QRR	反向恢复电荷	VDS=250V, VPWM=0V		0		nC
Coss	输出电容	VDS=250V, VPWM=0V		24		pF

单一来源理由：本次采购的器件加工需要在蓝宝石衬底上采用独有的多缓冲层制备技术实现增强型氮化镓器件。此外，部分设计器件的加工需要兼顾考虑抗辐射加固工艺条件。由于委托加工GaN晶圆数量只有3片，数量太少，foundry不会单独给我们进行加工，只能委托具有相同类型Ga (略) ，搭载其订单实现。经调研，无锡 (略) 在氮化镓半导体器件领域具有丰富的工艺开发和整合经验，适于承接该类研发器件代工工艺技术支持与搭载流片服务（特别适合于具有实验性质的器件流片），是目前唯一能够满足用户要求并愿意提供加工服务的厂家。因此，拟采用单一来源采购方式。

论证小组成员：曹菲,包梦恬,宋延兴

有关单位或个人如对本项目采用校内单一来源采购方式有异议，应在公示期内以书面形式向大连海事大学招投标与采购中心反映。

联系人：崔老师

联系电话：*

国有资产与实验室管理处

招投标与采购中心

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