亚纳米器件关键薄膜原子层沉积设备清采比选号采购公告
亚纳米器件关键薄膜原子层沉积设备清采比选号采购公告
采购项目名称:亚纳米器件关键薄膜原子层沉积设备
采购单位: (略) 清华大学
付款方式:合同签订后50%,到货后40%,验收合格后10%
签约时间要求:成交后10个工作日内
交货时间要求:签订合同后20个工作日内
交货地址: (略) 清华大学
技术参数及配置要求:1. 适用于8英寸以及小尺寸样品相关薄膜沉积,8英寸样品不均匀性≤3%; 2. 设备本底真空优于3 Pa,泄露率低; 3. 样品台加热温度最高可达400℃; 4. 能够基于臭氧基或水基生长HfO2等类型高k值介质作为绝缘薄膜,击穿场强>0.8V/nm; 5. 能够基于臭氧基或水基生长In2O3等类型金属氧化物半导体薄膜。
质保期:24个月
供应商报名地址:点击进入
采购项目名称:亚纳米器件关键薄膜原子层沉积设备
采购单位: (略) 清华大学
付款方式:合同签订后50%,到货后40%,验收合格后10%
签约时间要求:成交后10个工作日内
交货时间要求:签订合同后20个工作日内
交货地址: (略) 清华大学
技术参数及配置要求:1. 适用于8英寸以及小尺寸样品相关薄膜沉积,8英寸样品不均匀性≤3%; 2. 设备本底真空优于3 Pa,泄露率低; 3. 样品台加热温度最高可达400℃; 4. 能够基于臭氧基或水基生长HfO2等类型高k值介质作为绝缘薄膜,击穿场强>0.8V/nm; 5. 能够基于臭氧基或水基生长In2O3等类型金属氧化物半导体薄膜。
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