采购项目名称：亚纳米器件关键薄膜原子层沉积设备
采购单位： (略) 清华大学
付款方式：合同签订后50%，到货后40%，验收合格后10%
签约时间要求：成交后10个工作日内
交货时间要求：签订合同后20个工作日内
交货地址： (略) 清华大学
技术参数及配置要求：1. 适用于8英寸以及小尺寸样品相关薄膜沉积，8英寸样品不均匀性≤3%； 2. 设备本底真空优于3 Pa，泄露率低； 3. 样品台加热温度最高可达400℃； 4. 能够基于臭氧基或水基生长HfO2等类型高k值介质作为绝缘薄膜，击穿场强>0.8V/nm； 5. 能够基于臭氧基或水基生长In2O3等类型金属氧化物半导体薄膜。
质保期：24个月
供应商报名地址：点击进入

采购项目名称：亚纳米器件关键薄膜原子层沉积设备
采购单位： (略) 清华大学
付款方式：合同签订后50%，到货后40%，验收合格后10%
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交货时间要求：签订合同后20个工作日内
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技术参数及配置要求：1. 适用于8英寸以及小尺寸样品相关薄膜沉积，8英寸样品不均匀性≤3%； 2. 设备本底真空优于3 Pa，泄露率低； 3. 样品台加热温度最高可达400℃； 4. 能够基于臭氧基或水基生长HfO2等类型高k值介质作为绝缘薄膜，击穿场强>0.8V/nm； 5. 能够基于臭氧基或水基生长In2O3等类型金属氧化物半导体薄膜。
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