碳化硅肖特基加工沟槽结构、平面结构单一来源公示-采招网

碳化硅肖特基加工沟槽结构、平面结构单一来源公示

招标
辽宁省
发布：2024-11-25

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碳化硅肖特基加工沟槽结构、平面结构单一来源公示

项目编号：Dlmu-FS-(略)

项目名称：碳化硅肖特基加工（沟槽结构、平面结构）

公示时间：2024年11月14日- 2024年11月19日

拟成交单位： (略) 苏州纳米技术与纳米仿生研究所

采购预算：(略)元

采购内容：进行碳化硅肖特基加工，两种结构（沟槽结构、平面结构），具体要求如下：沟槽型肖特基方案 1、标准清洗 2、标记刻蚀 3、电镀4.5μmNi 4、刻蚀45μmSiC 5、表面刻蚀损伤优化，牺牲氧化：1100℃1h*2次 6、W/Au样品介质层生长，干氧30min，Ni/Au样品不需要 7、背面欧姆制备，150nmNi，快速退火：1000℃，2min 8、沟槽内金属溅射，一片W/Au（200/150），一片Ni/Au（200/150） 9、划片道金属刻蚀平面肖特基方案 1、标准清洗 2、标记刻蚀 3、正面LPCVD生长400nm氮化硅钝化层 4、背面欧姆制备，150nmNi，快速退火：1000℃，2min 5、正面肖特基开窗 6、正面肖特基制备Ni200nm，快速退火：500℃，5min 7、正面金属加厚图形化：Ti/Au（20/300nm）

单一来源理由：本次采购的碳化硅器件加工，需要在 6 吋的碳化 (略) 刻蚀 45 微米深槽。器件加工需要在超高真空下进行，需要深槽内均匀沉积金属，形成肖特基二极管结构。加工过程需要特定的综合工艺制备方案，加工器件需要特殊 (略) 理。另外根据图形化需求，需要加工单位具有比较成熟的碳化硅深槽刻蚀技术。经调研， (略) 苏州纳米技术与纳米仿生研究所（苏纳所） (略) 长期从事半导体材料与器件、工艺相关研究，包括碳化硅材料外延生长、器件加工，拥有完备的加工和测试设备。并且在碳化硅器件制备中发表多篇高水平论文和申请相关专利多项，具备丰富的工艺开发和整合经验，适于承接该类研发器件代工工艺技术支持与搭载流片服务。本次加工，涉及“4H-SiC 光子晶体微谐振腔及其制备方法”和“碳化硅二极管及其制备方法”两项专利技术的应用。因此， (略) 是目前唯一能够满足本次器件加工要求并愿意提供加工服务的单位。拟采用校内单一来源采购方式。

论证小组成员：曹菲,宋延兴,张维

有关单位或个人如对本项目采用校内单一来源采购方式有异议，应在公示期内以书面形式向大连海事大学招投标与采购中心反映。

联系人：崔迪

联系电话：(略)

国有资产与实验 (略)

招投标与采购中心

2024年11月14日