硅片招标公告
硅片招标公告
发布单位: 华东光电集成器件研究所
最终单位: 华东光电集成器件研究所
参与方式: 公开询价
出价方式: 一次性出价
付款方式:
保证金: 0.0 元
姓名: 王晓薇
电话: *
商品名称 | 品类 | 采购数量 | 最少响应量 | 型号 | 补充 |
SOI硅片 | 其他物资 | 21.0个 | 21.0个 | 顶层硅晶向:N?<100>;?顶层硅厚度:25μm±1μm;?顶层硅电阻率:1Ωcm-10Ωcm;?埋氧层厚度:2μm±0.1μm;?衬底硅晶向:N<100>?衬底硅厚度:600μm±10μm;?衬底 | 衬底硅晶向:N<100>?衬底硅厚度:600μm±10μm;?衬底硅电阻率:1Ωcm-10Ωcm |
SOI硅片 | 其他物资 | 18.0个 | 18.0个 | 顶层硅晶向:N?<100>;?顶层硅厚度:36μm±0.5μm;?顶层硅电阻率:1.5±0.5Ωcm;?埋氧层厚度:0.5μm±0.1μm; | 衬底硅晶向:N<100>?衬底硅厚度:380μm±5μm;?衬底硅电阻率:1Ωcm-10Ωcm |
发布单位: 华东光电集成器件研究所
最终单位: 华东光电集成器件研究所
参与方式: 公开询价
出价方式: 一次性出价
付款方式:
保证金: 0.0 元
姓名: 王晓薇
电话: *
商品名称 | 品类 | 采购数量 | 最少响应量 | 型号 | 补充 |
SOI硅片 | 其他物资 | 21.0个 | 21.0个 | 顶层硅晶向:N?<100>;?顶层硅厚度:25μm±1μm;?顶层硅电阻率:1Ωcm-10Ωcm;?埋氧层厚度:2μm±0.1μm;?衬底硅晶向:N<100>?衬底硅厚度:600μm±10μm;?衬底 | 衬底硅晶向:N<100>?衬底硅厚度:600μm±10μm;?衬底硅电阻率:1Ωcm-10Ωcm |
SOI硅片 | 其他物资 | 18.0个 | 18.0个 | 顶层硅晶向:N?<100>;?顶层硅厚度:36μm±0.5μm;?顶层硅电阻率:1.5±0.5Ωcm;?埋氧层厚度:0.5μm±0.1μm; | 衬底硅晶向:N<100>?衬底硅厚度:380μm±5μm;?衬底硅电阻率:1Ωcm-10Ωcm |
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