单晶硅片招标公告
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单晶硅片招标公告
发布单位： 华东光电集成器件研究所
最终单位： 华东光电集成器件研究所
参与方式： 公开询价
出价方式： 一次性出价
付款方式：
保证金： 0.0 元
姓名： 王晓薇
电话： (略)
| 商品名称 | 品类 | 采购数量 | 最少响应量 | 型号 | 型号 |
| 单晶硅片 | 其他物资 | 25.0个 | 25.0个 | 区熔单晶硅片N(100)｜衬底厚度625±15um｜电阻率：80Ω·cm｜晶体生长方法：FZ | N(100)｜衬底厚度625±15um｜电阻率：80Ω·cm｜晶体生长方法：FZ |
| 单晶硅片 | 其他物资 | 25.0个 | 25.0个 | 区熔单晶硅片N(100)｜衬底厚度625±15um｜电阻率：100Ω·cm｜晶体生长方法：FZ | N(100)｜衬底厚度625±15um｜电阻率：100Ω·cm｜晶体生长方法：FZ |
发布单位： 华东光电集成器件研究所
最终单位： 华东光电集成器件研究所
参与方式： 公开询价
出价方式： 一次性出价
付款方式：
保证金： 0.0 元
姓名： 王晓薇
电话： (略)
| 商品名称 | 品类 | 采购数量 | 最少响应量 | 型号 | 型号 |
| 单晶硅片 | 其他物资 | 25.0个 | 25.0个 | 区熔单晶硅片N(100)｜衬底厚度625±15um｜电阻率：80Ω·cm｜晶体生长方法：FZ | N(100)｜衬底厚度625±15um｜电阻率：80Ω·cm｜晶体生长方法：FZ |
| 单晶硅片 | 其他物资 | 25.0个 | 25.0个 | 区熔单晶硅片N(100)｜衬底厚度625±15um｜电阻率：100Ω·cm｜晶体生长方法：FZ | N(100)｜衬底厚度625±15um｜电阻率：100Ω·cm｜晶体生长方法：FZ |
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