保护二极管招标公告
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保护二极管招标公告
发布单位： 北方自动控制技术研究所
最终单位： 北方自动控制技术研究所
参与方式： 公开询价
出价方式： 一次性出价
付款方式：
保证金： 0.0 元
姓名： 常维珊
电话： *
| 商品名称 | 品类 | 采购数量 | 最少响应量 | 参考型号 | 参数 | 参数 |
| ESD保护二极管 | 电子元器件>其他电气和电子元器件 | 30.0个 | 30.0个 | XNPESD15CSV | ESD保护二极管，封装SOD-323，脉冲峰值功率350W，IEC *-4-2空气放电15kV，接触放电8kV，结温-55~+125℃，反向峰值电压15V，反向击穿电压16.7V， | 反向漏电流1μA，要求能够提供全国产化证明、自主可控伪空包承诺书，第三方伪空包检测报告 |
| ESD保护二极管 | 电子元器件>其他电气和电子元器件 | 30.0个 | 30.0个 | XNESD0531TD9 | ESD保护二极管，封装*，脉冲峰值功率60W，峰值脉冲电流3.5A，IEC *-4-2空气放电±20kV，接触放电±20kV，结温-55~+125℃，反向峰值电压5V，反向击穿 | 反向击穿电压最小值6V，典型值8V，反向漏电流0.1μA（典型值），要求能够提供全国产化证明、自主可控伪空包承诺书，第三方伪空包检测报告 |
| 肖特基二极管 | 电子元器件>其他电气和电子元器件 | 10.0个 | 10.0个 | XNBAT54ASI | 双共阳极，最大反向峰值电VRRM为30V,正向连续电IFM为200mA，正向压降VF为1V、封装为SOT-23,国产（可提供国产证明） | |
| 肖特基二极管 | 电子元器件>其他电气和电子元器件 | 10.0个 | 10.0个 | XNBAT54CSI | 双共阴极，最大反向峰值电VRRM为30V,正向连续电IFM为200mA，正向压降VF为1V、封装为SOT-23,国产（可提供国产证明） | |
| PNP三极管 | 电子元器件>其他电气和电子元器件 | 10.0个 | 10.0个 | XNMMBT3906SI | 集电极-发射极电压-40V，集电极-基极电压-40V，发射极-基极电压-5V，集电极连续电流-0.2A，封装为SOT-23,国产（可提供国产证明） | |
| N沟道MOSFET | 电子元器件>其他电气和电子元器件 | 10.0个 | 10.0个 | XNM6N02SI | 漏源击穿电压VDS最小为20V，栅源电压VGS为±10V，静态漏源导通电阻RDS(ON)TYP为13.5mΩ，，漏极电流ID为6.8A，封装为SOT-23,国产（可提供国产证明） | |
| P沟道MOSFET | 电子元器件>其他电气和电子元器件 | 10.0个 | 10.0个 | XNM6P012SI | 漏源击穿电压VDS最小为-12V，栅源电压VGS为±8V，静态漏源导通电阻RDS(ON)TYP为24mΩ，漏极电流ID为-6A，封装为SOT-23,国产（可提供国产证明） |
发布单位： 北方自动控制技术研究所
最终单位： 北方自动控制技术研究所
参与方式： 公开询价
出价方式： 一次性出价
付款方式：
保证金： 0.0 元
姓名： 常维珊
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| 商品名称 | 品类 | 采购数量 | 最少响应量 | 参考型号 | 参数 | 参数 |
| ESD保护二极管 | 电子元器件>其他电气和电子元器件 | 30.0个 | 30.0个 | XNPESD15CSV | ESD保护二极管，封装SOD-323，脉冲峰值功率350W，IEC *-4-2空气放电15kV，接触放电8kV，结温-55~+125℃，反向峰值电压15V，反向击穿电压16.7V， | 反向漏电流1μA，要求能够提供全国产化证明、自主可控伪空包承诺书，第三方伪空包检测报告 |
| ESD保护二极管 | 电子元器件>其他电气和电子元器件 | 30.0个 | 30.0个 | XNESD0531TD9 | ESD保护二极管，封装*，脉冲峰值功率60W，峰值脉冲电流3.5A，IEC *-4-2空气放电±20kV，接触放电±20kV，结温-55~+125℃，反向峰值电压5V，反向击穿 | 反向击穿电压最小值6V，典型值8V，反向漏电流0.1μA（典型值），要求能够提供全国产化证明、自主可控伪空包承诺书，第三方伪空包检测报告 |
| 肖特基二极管 | 电子元器件>其他电气和电子元器件 | 10.0个 | 10.0个 | XNBAT54ASI | 双共阳极，最大反向峰值电VRRM为30V,正向连续电IFM为200mA，正向压降VF为1V、封装为SOT-23,国产（可提供国产证明） | |
| 肖特基二极管 | 电子元器件>其他电气和电子元器件 | 10.0个 | 10.0个 | XNBAT54CSI | 双共阴极，最大反向峰值电VRRM为30V,正向连续电IFM为200mA，正向压降VF为1V、封装为SOT-23,国产（可提供国产证明） | |
| PNP三极管 | 电子元器件>其他电气和电子元器件 | 10.0个 | 10.0个 | XNMMBT3906SI | 集电极-发射极电压-40V，集电极-基极电压-40V，发射极-基极电压-5V，集电极连续电流-0.2A，封装为SOT-23,国产（可提供国产证明） | |
| N沟道MOSFET | 电子元器件>其他电气和电子元器件 | 10.0个 | 10.0个 | XNM6N02SI | 漏源击穿电压VDS最小为20V，栅源电压VGS为±10V，静态漏源导通电阻RDS(ON)TYP为13.5mΩ，，漏极电流ID为6.8A，封装为SOT-23,国产（可提供国产证明） | |
| P沟道MOSFET | 电子元器件>其他电气和电子元器件 | 10.0个 | 10.0个 | XNM6P012SI | 漏源击穿电压VDS最小为-12V，栅源电压VGS为±8V，静态漏源导通电阻RDS(ON)TYP为24mΩ，漏极电流ID为-6A，封装为SOT-23,国产（可提供国产证明） |
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