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专利(申请)号

CN#.X

主分类号

C03C17/23

公开号

公开日

2021-12-24 00:00:00

发明(设计)人

任洋，刘萍，刘荣欣，王允威，赵高扬

申请(专利权)人

西安理工大学

申请日

2021-08-31 00:00:00

状态

有效

摘要

本发明公开的一种锡掺杂氧化铟纳米阵列的制备方法，具体为：步骤1，配制锡掺杂氧化铟感光溶胶；步骤2，提拉制备凝胶薄膜；步骤3，烘烤；步骤4，将带有锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片置于激光干涉曝光系统中进行双光束曝光；步骤5，将曝光后的锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片继续烘烤，步骤6，将烘烤后的基片置于溶洗剂中溶洗，溶洗10～20min，将未曝光部分溶洗去除，得到锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片；步骤7，将锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片于500～520℃ (略) 理。该方法能够解决当前这种薄膜纳米阵列化加工工艺复杂、成本高、刻蚀缓慢以及精度差的问题。还公开有上述方法制备得到的锡掺杂氧化铟纳米阵列。

主权项

1.一种锡掺杂氧化铟纳米阵列的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：/n步骤1，配制锡掺杂氧化铟的溶胶C；/n步骤2，将获得的锡掺杂氧化铟的溶胶C通过浸渍提拉法在玻璃基板上制备凝胶薄膜；/n步骤3，将提拉制备的凝胶薄膜基片于80～100℃下烘烤8～10分钟后取出，空冷至室温，之后，用无水#醇将凝胶薄膜基片背面的凝胶薄膜擦拭掉，只保留正面的凝胶薄膜，得到带有锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片；/n步骤4，将带有锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片置于激光干涉曝光系统中进 (略) 理；/n步骤5，将曝光后的锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片于80～100℃下烘烤8～10分钟后取出，空冷至室温；/n步骤6，将烘烤后的锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片置于溶洗剂中溶洗，溶洗10～20min，将未曝光部分溶洗去除，得到锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片；/n步骤7，将锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片于500～520℃ (略) 理0.5～1h，得到锡掺杂氧化铟纳米阵列。/n

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联 系 人

于女士、李先生

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0531-#、#

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本发明公开的一种锡掺杂氧化铟纳米阵列的制备方法，具体为：步骤1，配制锡掺杂氧化铟感光溶胶；步骤2，提拉制备凝胶薄膜；步骤3，烘烤；步骤4，将带有锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片置于激光干涉曝光系统中进行双光束曝光；步骤5，将曝光后的锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片继续烘烤，步骤6，将烘烤后的基片置于溶洗剂中溶洗，溶洗10～20min，将未曝光部分溶洗去除，得到锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片；步骤7，将锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片于500～520℃ (略) 理。该方法能够解决当前这种薄膜纳米阵列化加工工艺复杂、成本高、刻蚀缓慢以及精度差的问题。还公开有上述方法制备得到的锡掺杂氧化铟纳米阵列。

主权项

1.一种锡掺杂氧化铟纳米阵列的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：/n步骤1，配制锡掺杂氧化铟的溶胶C；/n步骤2，将获得的锡掺杂氧化铟的溶胶C通过浸渍提拉法在玻璃基板上制备凝胶薄膜；/n步骤3，将提拉制备的凝胶薄膜基片于80～100℃下烘烤8～10分钟后取出，空冷至室温，之后，用无水#醇将凝胶薄膜基片背面的凝胶薄膜擦拭掉，只保留正面的凝胶薄膜，得到带有锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片；/n步骤4，将带有锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片置于激光干涉曝光系统中进 (略) 理；/n步骤5，将曝光后的锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片于80～100℃下烘烤8～10分钟后取出，空冷至室温；/n步骤6，将烘烤后的锡掺杂氧化铟感光凝胶膜基片置于溶洗剂中溶洗，溶洗10～20min，将未曝光部分溶洗去除，得到锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片；/n步骤7，将锡掺杂氧化铟纳米阵列凝胶膜基片于500～520℃ (略) 理0.5～1h，得到锡掺杂氧化铟纳米阵列。/n

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