2203-610161-04-01-697587异质集成嵌入式DRAM(SeDRAM)存储技术研发及产业化项目

内容
 
发送至邮箱

2203-610161-04-01-697587异质集成嵌入式DRAM(SeDRAM)存储技术研发及产业化项目

项目代码:2203- 点击查看>> -04-01- 点击查看>>
项目名称:异质集成嵌入式DRAM(SeDRAM)存储技术研发及产业化项目
单位名称:西安紫 (略)
项目法人:范新
建设地点:陕西省西安市高新区丈八 (略) (略) A座4楼
申报单位经济类型:其他
(略) 属行业:信息传输、软件和信息技术服务业-软件和信息技术服务业- (略) 设计- (略) 设计
项目总投资:3000(万元)
建设性质:新建
计划开工时间: 点击查看>>
审核状态:尚未审核
建设规模及内容:项目拟购置软硬件设备6台(套),通过DRAM存储阵列的晶圆和一片搭 (略) 普通逻辑工艺晶圆利用 Cu-Cu 直接互连及多层堆叠的方式集成起来,实现百倍量级的互联密度提升,从而实 (略) 到存储阵列之间的超高带宽和超低的能耗。通过此技术,可形成定制化的超低功耗、超高带宽的数据缓存算力芯片。(该备案为告知性备案,涉及有 (略) 门职责的, (略) 门意见为准)

项目代码:2203- 点击查看>> -04-01- 点击查看>>
项目名称:异质集成嵌入式DRAM(SeDRAM)存储技术研发及产业化项目
单位名称:西安紫 (略)
项目法人:范新
建设地点:陕西省西安市高新区丈八 (略) (略) A座4楼
申报单位经济类型:其他
(略) 属行业:信息传输、软件和信息技术服务业-软件和信息技术服务业- (略) 设计- (略) 设计
项目总投资:3000(万元)
建设性质:新建
计划开工时间: 点击查看>>
审核状态:尚未审核
建设规模及内容:项目拟购置软硬件设备6台(套),通过DRAM存储阵列的晶圆和一片搭 (略) 普通逻辑工艺晶圆利用 Cu-Cu 直接互连及多层堆叠的方式集成起来,实现百倍量级的互联密度提升,从而实 (略) 到存储阵列之间的超高带宽和超低的能耗。通过此技术,可形成定制化的超低功耗、超高带宽的数据缓存算力芯片。(该备案为告知性备案,涉及有 (略) 门职责的, (略) 门意见为准)

    
查看详情》
相关推荐
 

招投标大数据

查看详情

收藏

首页

最近搜索

热门搜索