泉州三安半导体科技有限公司III类射线装置项目福建省泉州市南安市石井镇古山村莲山工业区2号

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泉州三安半导体科技有限公司III类射线装置项目福建省泉州市南安市石井镇古山村莲山工业区2号

建设项目环境影响登记表

填表日期：2022-04-28

泉州三 (略) III类射线装置项目
福建省泉州市南安市石井镇古山村莲 (略) 点击查看>>
泉州三 (略) 林科闯
张汉文152点击查看>>*5577
点击查看>> 点击查看>>
2020-01-01
新建
（建设内容：半导体研发和产业化建设 规模：氮化镓LED芯片1026万片/年；氮化镓高功率半导体外延7万片/年；碳化硅高功率半导体外延24万片/年；蓝宝石平片和图形化衬底 点击查看>> 万片/年；SiC晶棒9.6万mm/年；SiC衬底7.2万片/年；氮化镓激光器189万颗/年；砷化镓芯片 点击查看>> 万片/年； (略) 外延24万片/年；光通讯外延9838片/年；光通讯APD/ MPD/ PD芯片 点击查看>> kk/年；光通讯短波/长波封装2745万个/年；光通讯短波/长波模组2210万个/年；射频滤波器 点击查看>> 万片/年；GaAs高速半导体芯片24万片/年； GaN功率半导体芯片6万片/年；SiC功率半导体芯片24万片/年；GaN RF功率半导体芯片1万片/年；电力电子器件封装与测试能力各720kk/年、微波射频器件封装与测试能力各240kk/年； 其他特种封装 点击查看>> KK/年的生产能力计量单位：万片/年）
辐射环境影响环保措施:
携带个人记录仪与穿戴铅衣

建设项目环境影响登记表

填表日期：2022-04-28

泉州三 (略) III类射线装置项目
福建省泉州市南安市石井镇古山村莲 (略) 点击查看>>
泉州三 (略) 林科闯
张汉文152点击查看>>*5577
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2020-01-01
新建
（建设内容：半导体研发和产业化建设 规模：氮化镓LED芯片1026万片/年；氮化镓高功率半导体外延7万片/年；碳化硅高功率半导体外延24万片/年；蓝宝石平片和图形化衬底 点击查看>> 万片/年；SiC晶棒9.6万mm/年；SiC衬底7.2万片/年；氮化镓激光器189万颗/年；砷化镓芯片 点击查看>> 万片/年； (略) 外延24万片/年；光通讯外延9838片/年；光通讯APD/ MPD/ PD芯片 点击查看>> kk/年；光通讯短波/长波封装2745万个/年；光通讯短波/长波模组2210万个/年；射频滤波器 点击查看>> 万片/年；GaAs高速半导体芯片24万片/年； GaN功率半导体芯片6万片/年；SiC功率半导体芯片24万片/年；GaN RF功率半导体芯片1万片/年；电力电子器件封装与测试能力各720kk/年、微波射频器件封装与测试能力各240kk/年； 其他特种封装 点击查看>> KK/年的生产能力计量单位：万片/年）
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携带个人记录仪与穿戴铅衣
    
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