项目名称

TCL环鑫半导体（天津）有限公司6英寸功率半导体芯片扩产项目

建设地点

天津滨海高新技术产业开发区华苑科技园（环外） (略) (略) 天津中 (略) （以下简称“中环半导体”）厂区内

建设单位

TCL环鑫半导体（天津）有限公司

环境影响评价机构

天津市 (略)

项目概况

TCL环鑫半导体（天津）有限公司（以下简称“环鑫半导体”）位于天津滨海高新技术产业开发区华苑科技园（环外） (略) (略) 天津中 (略) （以下简称“中环半导体”）厂区内，是中 (略) 。现该公司拟投资 点击查看>> 万元， (略) 区B座建筑南侧车间内建设6英寸功率半导体芯片扩产项目，建成后可实现年产6英寸SBD、VDMOS、TMBS、FRD功率芯片共计90万片（该项目新增产能 点击查看>> 万片/年）。

该项目改造面积为840平方米，主要建设内容为：（1）对车间一层现有6英寸功率半导体芯片生产线进行改造及扩建，依托现有生产装置并增加打标机、清洗机、硅片扩散炉、光刻涂胶机、光刻机、显影机等设备；（2） (略) 理系统进行扩容， (略) 理能力由160m3/d提高至300m3/d，并 (略) 内新增1套100L/h化学镍废液浓缩装置；（3）新增1套三级碱液喷淋塔、1套二级碱液喷淋塔、1根28m排气筒P9，并改造现有排气筒P5（由25m提高至28m）；现有1套一级碱液喷淋塔及排气筒P8作为备用设施，现有2套一级碱液喷淋塔及2根排气筒拆除；（4）现有1套“活性炭”吸附装置拆除，新增1套“活性炭吸附-脱附+催化燃烧装置”。该项目环保投资411万元，主要用于废气收集及治理、废水治理、噪声污染防治、 (略) 防渗、排污口规范化建设等。

主要环境影响及预防或者减轻不良环境影响的对策和措施

根据该项目环境影响报告表分析结论：

（一）涂胶及涂胶后清洗、负胶显影、有机去胶、涂胶机胶盘清洗工序产生的有机废气经集气管道收集，送入1套“活性炭吸附-脱附+催化燃烧装置”处理后，通过现有1根25m高排气筒P6（DA006）排放。

清洗、湿法刻蚀、去胶清洗、陪片清洗、炉管清洗、干法刻蚀配件清洗、干法刻蚀工序产生的废气经集气管道收集；干法刻蚀挖槽、多晶干刻、铝硅干法刻蚀工序产生的废气由设备自带水喷淋设施喷淋净化；化学气相沉积、离子注入、氮化硅沉积、多晶硅沉积工序产生的废气由设备自带的“燃烧焚烧器”装置净化；上述废气再送入1套二级碱液喷淋塔净化后，通过现有1根28m排气筒P5（DA005）排放。硅化物腐蚀机、金属化清洗、去应力腐蚀、背面金属化清洗、金属湿法刻蚀、金属片架清洗工序产生的废气经集气管道收集，送入1套“三级碱液喷淋塔装置”处理后，通过1根新建28m高排气筒P9（DA009）排放。含镍废液浓缩装置产生的不凝气经管道送入1套“碱液喷淋塔装置”处理后，通过现有1根25m高排气筒P1（DA001）排放。

叠加现有工程排放量后，P1（DA001）、P5（DA005）、P9（DA009）排气筒氯化氢的排放浓度及排放速率须满足《大气污染物综合排放标准》（GB 点击查看>> -1996）相应限值要求；氨的排放速率和臭气浓度须满足《恶臭污染物排放标准》（DB12/059-2018）相应限值要求。P5（DA005）、P9（DA009）排气筒氟化物、氯气、硫酸雾、氮氧化物的排放浓度及排放速率须满足《大气污染物综合排放标准》（GB 点击查看>> -1996）相应限值要求。P6（DA006）排气筒非 点击查看>> 烷总烃、TRVOC、二 点击查看>> 苯的排放浓度及排放速率均须满足《工业企业挥发性有机物排放控制标准》（DB12/524-2020）相应限值要求，酚类的排放浓度及排放速率须满足《大气污染物综合排放标准》（GB 点击查看>> -1996）相应限值要求， 点击查看>> 酸 点击查看>> 酯的排放速率和臭气浓度须满足《恶臭污染物排放标准》（DB12/059-2018）相应限值要求。P1（DA001）排气筒氯化氢、P6（DA006）排气筒酚类的排放速率均严格50%执行。

（二）镍银废水、化学镍废液浓缩装置冷凝水 (略) (略) 理，含氟废水、酸碱废水依托中环 (略) (略) 理,研磨废水经 (略) 理，生活污水经隔油池+ (略) 理； (略) 理后与纯水制备系统排水、循环冷却水排水一并进入环鑫半导体废水总排口（DW002）排入市政污水管网，最 (略) (略) (略) 理。车间废水排口（DA001）总镍、总银须满足《电子工业污水污染物排放标准》（GB 点击查看>> -2020）相应限值要求，环鑫半导体废水总排口（DW002）BOD5须满足《污水综合排放标准》（DB12/356-2018）相应限值要求，其余因子须满足《电子工业水污染物排放标准》（GB 点击查看>> -2020）相应限值要求。

（三）各类生产设备、空压机、冷却塔、风机等为主要噪声源， (略) 、选用低噪声设备、减振隔声和距离衰减后，厂界昼、夜间噪声须满足《 (略) 界环境噪声排放标准》（GB 点击查看>> -2008）3类、4类标准限值要求。

（四）固体废物分类收集。生活垃圾袋装收集，交 (略) 门定期清运；废光刻胶、废洗边剂、胶盘清洗废液、废负胶显影液、有机去胶废液、废汞灯、镍银污泥、含镍废液浓缩污泥、空塑料试剂瓶、空玻璃试剂瓶、废碱袋、废活性炭及滤材、沾染废物、去胶废硫酸、废氢氟酸、含镍硅化物刻蚀废液、含镍银正面金属刻蚀废液属于危险废物，交由有 (略) 理；不合格品、废金属靶材及废金属片、沉降井沉淀物属于一般固体废物，交 (略) 门处理；依托中环 (略) 理系统产生的污泥，委托中 (略) 理。 (略) 置去向合理，避免产生二次污染。

（五）加强对危险物料的管理，制定应急预案，落实各项事故防范、减缓措施，有效避免事故发生。

公众参与情况

——

公示时间

2022年6月14日至2022年6月20日

项目名称

TCL环鑫半导体（天津）有限公司6英寸功率半导体芯片扩产项目

建设地点

天津滨海高新技术产业开发区华苑科技园（环外） (略) (略) 天津中 (略) （以下简称“中环半导体”）厂区内

建设单位

TCL环鑫半导体（天津）有限公司

环境影响评价机构

天津市 (略)

项目概况

TCL环鑫半导体（天津）有限公司（以下简称“环鑫半导体”）位于天津滨海高新技术产业开发区华苑科技园（环外） (略) (略) 天津中 (略) （以下简称“中环半导体”）厂区内，是中 (略) 。现该公司拟投资 点击查看>> 万元， (略) 区B座建筑南侧车间内建设6英寸功率半导体芯片扩产项目，建成后可实现年产6英寸SBD、VDMOS、TMBS、FRD功率芯片共计90万片（该项目新增产能 点击查看>> 万片/年）。

该项目改造面积为840平方米，主要建设内容为：（1）对车间一层现有6英寸功率半导体芯片生产线进行改造及扩建，依托现有生产装置并增加打标机、清洗机、硅片扩散炉、光刻涂胶机、光刻机、显影机等设备；（2） (略) 理系统进行扩容， (略) 理能力由160m3/d提高至300m3/d，并 (略) 内新增1套100L/h化学镍废液浓缩装置；（3）新增1套三级碱液喷淋塔、1套二级碱液喷淋塔、1根28m排气筒P9，并改造现有排气筒P5（由25m提高至28m）；现有1套一级碱液喷淋塔及排气筒P8作为备用设施，现有2套一级碱液喷淋塔及2根排气筒拆除；（4）现有1套“活性炭”吸附装置拆除，新增1套“活性炭吸附-脱附+催化燃烧装置”。该项目环保投资411万元，主要用于废气收集及治理、废水治理、噪声污染防治、 (略) 防渗、排污口规范化建设等。

主要环境影响及预防或者减轻不良环境影响的对策和措施

根据该项目环境影响报告表分析结论：

（一）涂胶及涂胶后清洗、负胶显影、有机去胶、涂胶机胶盘清洗工序产生的有机废气经集气管道收集，送入1套“活性炭吸附-脱附+催化燃烧装置”处理后，通过现有1根25m高排气筒P6（DA006）排放。

清洗、湿法刻蚀、去胶清洗、陪片清洗、炉管清洗、干法刻蚀配件清洗、干法刻蚀工序产生的废气经集气管道收集；干法刻蚀挖槽、多晶干刻、铝硅干法刻蚀工序产生的废气由设备自带水喷淋设施喷淋净化；化学气相沉积、离子注入、氮化硅沉积、多晶硅沉积工序产生的废气由设备自带的“燃烧焚烧器”装置净化；上述废气再送入1套二级碱液喷淋塔净化后，通过现有1根28m排气筒P5（DA005）排放。硅化物腐蚀机、金属化清洗、去应力腐蚀、背面金属化清洗、金属湿法刻蚀、金属片架清洗工序产生的废气经集气管道收集，送入1套“三级碱液喷淋塔装置”处理后，通过1根新建28m高排气筒P9（DA009）排放。含镍废液浓缩装置产生的不凝气经管道送入1套“碱液喷淋塔装置”处理后，通过现有1根25m高排气筒P1（DA001）排放。

叠加现有工程排放量后，P1（DA001）、P5（DA005）、P9（DA009）排气筒氯化氢的排放浓度及排放速率须满足《大气污染物综合排放标准》（GB 点击查看>> -1996）相应限值要求；氨的排放速率和臭气浓度须满足《恶臭污染物排放标准》（DB12/059-2018）相应限值要求。P5（DA005）、P9（DA009）排气筒氟化物、氯气、硫酸雾、氮氧化物的排放浓度及排放速率须满足《大气污染物综合排放标准》（GB 点击查看>> -1996）相应限值要求。P6（DA006）排气筒非 点击查看>> 烷总烃、TRVOC、二 点击查看>> 苯的排放浓度及排放速率均须满足《工业企业挥发性有机物排放控制标准》（DB12/524-2020）相应限值要求，酚类的排放浓度及排放速率须满足《大气污染物综合排放标准》（GB 点击查看>> -1996）相应限值要求， 点击查看>> 酸 点击查看>> 酯的排放速率和臭气浓度须满足《恶臭污染物排放标准》（DB12/059-2018）相应限值要求。P1（DA001）排气筒氯化氢、P6（DA006）排气筒酚类的排放速率均严格50%执行。

（二）镍银废水、化学镍废液浓缩装置冷凝水 (略) (略) 理，含氟废水、酸碱废水依托中环 (略) (略) 理,研磨废水经 (略) 理，生活污水经隔油池+ (略) 理； (略) 理后与纯水制备系统排水、循环冷却水排水一并进入环鑫半导体废水总排口（DW002）排入市政污水管网，最 (略) (略) (略) 理。车间废水排口（DA001）总镍、总银须满足《电子工业污水污染物排放标准》（GB 点击查看>> -2020）相应限值要求，环鑫半导体废水总排口（DW002）BOD5须满足《污水综合排放标准》（DB12/356-2018）相应限值要求，其余因子须满足《电子工业水污染物排放标准》（GB 点击查看>> -2020）相应限值要求。

（三）各类生产设备、空压机、冷却塔、风机等为主要噪声源， (略) 、选用低噪声设备、减振隔声和距离衰减后，厂界昼、夜间噪声须满足《 (略) 界环境噪声排放标准》（GB 点击查看>> -2008）3类、4类标准限值要求。

（四）固体废物分类收集。生活垃圾袋装收集，交 (略) 门定期清运；废光刻胶、废洗边剂、胶盘清洗废液、废负胶显影液、有机去胶废液、废汞灯、镍银污泥、含镍废液浓缩污泥、空塑料试剂瓶、空玻璃试剂瓶、废碱袋、废活性炭及滤材、沾染废物、去胶废硫酸、废氢氟酸、含镍硅化物刻蚀废液、含镍银正面金属刻蚀废液属于危险废物，交由有 (略) 理；不合格品、废金属靶材及废金属片、沉降井沉淀物属于一般固体废物，交 (略) 门处理；依托中环 (略) 理系统产生的污泥，委托中 (略) 理。 (略) 置去向合理，避免产生二次污染。

（五）加强对危险物料的管理，制定应急预案，落实各项事故防范、减缓措施，有效避免事故发生。

公众参与情况

——

公示时间

2022年6月14日至2022年6月20日