项目代码:2208-*-04-02-*
项目名称:新型集成共漏极沟槽式双MOS管开发项目
单位名称: (略)
项目法人:罗义
建设地点:西安高新 (略) 环普科技产业园E101室
申报单位经济类型:股份制企业
项目所属行业:制造业-计算机、通信和其他电子设备制造业-电子器件制造-半导体分立器件制造
项目总投资:2500（万元）
建设性质:技改及其他
计划开工时间:*
审核状态:尚未审核
建设规模及内容: (略) 现有MOSFET技术，开发一种集成共漏极沟槽式双MOS管产品，拟采购硬件或软件设备共15台，包含高温老化HTRB、高低温冲击试验箱，双束电子扫描显微镜，IGBT模块动态测试系统等，用于研究生产项目产品。项目完成后，产品成本降低30%左右 ，预计产能将提升20%以上。（该备案为告知性备案，涉及有关行业管理部门指责的，以行业管理部门意见为准）。

项目代码:2208-*-04-02-*
项目名称:新型集成共漏极沟槽式双MOS管开发项目
单位名称: (略)
项目法人:罗义
建设地点:西安高新 (略) 环普科技产业园E101室
申报单位经济类型:股份制企业
项目所属行业:制造业-计算机、通信和其他电子设备制造业-电子器件制造-半导体分立器件制造
项目总投资:2500（万元）
建设性质:技改及其他
计划开工时间:*
审核状态:尚未审核
建设规模及内容: (略) 现有MOSFET技术，开发一种集成共漏极沟槽式双MOS管产品，拟采购硬件或软件设备共15台，包含高温老化HTRB、高低温冲击试验箱，双束电子扫描显微镜，IGBT模块动态测试系统等，用于研究生产项目产品。项目完成后，产品成本降低30%左右 ，预计产能将提升20%以上。（该备案为告知性备案，涉及有关行业管理部门指责的，以行业管理部门意见为准）。