2022年11月25日市行政审批局拟批准环境影响报告表、书的情况(新吴区)-年产试剂瓶产品1000万套生产车间项目
2022年11月25日市行政审批局拟批准环境影响报告表、书的情况(新吴区)-年产试剂瓶产品1000万套生产车间项目
序号 | 项目名称 | 建设地点 | 建设单位 | 环评机构 | 项目概况 | 主要环境影响及预防或者减轻不良环境影响的对策和措施 | 公众反馈意见的 联系方式 |
1 | 年产试剂瓶产品1000万套生产车间项目 | (略) 新吴区梅村工业园锡达路530号 | 无锡耐思 (略) | (略) 科泓环境 (略) | 无锡耐思 (略) 成立于2009年2月。主要从事生物实验耗材、医疗器械等制造及销售。本项目建成后,全厂设计生产规模为生物实验分析耗材33000万套/年、医疗器械18300万套/年、试剂瓶1000万套/年。 | 1)废气:成型废气:采用密闭负压系统收集,收集效率98%,经二级活性炭处理,处理效率90%。上述尾气通过1根15m高排气筒FQ-07排放。非*烷总烃(包括酚类、氯苯类)有组织排放执行《合成树脂工业污染物排放标准》(GB31572-2015)表5标准;无组织非*烷总烃执行《合成树脂工业污染物排放标准》(GB31572-2015)表9标准;无组织酚类、氯苯 (略) 地方标准《大气污染物综合排放标准》(DB32/4041-2021)表3标准;非*烷总烃厂内监控点浓 (略) 地方标准《大气污染物综合排放标准》(DB32/4041-2021)表2标准;2)废水:本项目生活污水经化粪池预处理后,与制纯废水、空调排水和清洗废水一并接管梅村水处理厂集中处理,接管口达到《污水综合排放标准》(GB8978-1996)表4中三级标准及《污水排入城镇下水道水质标准》(GB/T31962-2015)表1中A等级标准;3)噪声:本项目设备均为低噪声设备,厂界影响值满足《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348-2008)中3类标准;4)固废:一般工业固废由废品回收单位回收,生活垃圾由环卫部门统一清运,危险废物委托有资质单位处理处置,固废实现“零”排放。 | 0510-*,*@*63.com |
2 | 光通讯和激光雷达激光芯片FAB试验线建设项目 | (略) 新吴区高新区锡梅路111-10-1号 | (略) 华辰芯 (略) | 橙志(上海) (略) | (略) 华辰芯 (略) 成立于2021年,主要从事集成电路芯片及产品研发、电子元器件研发、集成电路芯片设计及服务、集成电路芯片及产品销售、半导体分立器件销售。公司坚持自主研发核心技术,核心产品聚焦于高可靠半导体激光器芯片和模块两个方向,核心技术来自GaAs 和InP领域内 (略) 的激光芯片设计、外延生长、Fab 工艺、封测、可 (略) 场开发专家,已成为高端激光芯片领域内的领先企业。华辰芯光无接触FAB技术优势:目前国内砷化镓和磷化铟的厂家从事InP(光通信,远距离激光雷达等)产品的公司的晶圆生产线主要为2英寸生产线,GaAs(工业激光,中近距离激光雷达等)主要是3英寸或4英寸生产线;而国外头部光电企业的InP为4寸为主,GaAs为6英寸为主,而无接触FAB技术正是为了从根本上解决以上问题,缩短差距。光纤通讯是当今最主要的有线通信方式,光通信产业链主要包括光器件、光纤线缆和光设备。光器件包括光芯片、有源器件、无源器件和光模块,光线缆包括光纤光缆和有源线缆,光设备包括传输设备和数通设备。据数据显示,2015年-2019年 (略) 场规模逐步增长,预计到2025年 (略) 场规模将达1750亿元。目前国际国内在光通信和激光雷达领域对大功率激光器和近红外激光器的需求持续增强,市场销售逐年增长,具有较好前景。由于国内相关领域内核心自主关键技术的产品不多,故国产化率不高,并且产能和技术相对比较落后,导致激光器的供应不足,而国外主流是4寸磷化铟和6寸砷化镓。 (略) 场和国内产业的现状,在此背景下, (略) 华辰芯 (略) 租用无锡星洲工业 (略) (略) (略) 新吴区高新区锡梅路111-10-1号厂房5389.22m2,建设光通讯和激光雷达激光芯片FAB试验线建设项目。项目总投资10000万元。 | (1)废水环保措施:本项目雨污分流,酸法刻蚀后清洗废水、碱法刻蚀后清洗废水和表面处理后清洗废水经厂区内废水处理站处理后,通过WS-02排放口污水接管口接管城镇污水管网;经污水处理站处理后的减薄后清洗废水、经化粪池预处理的生活污水、冷却废水、制纯废水和工艺冷却水通过WS-01排放污水接管口接管城镇污水管网,以上废水均接管梅村水处理厂处理,两个污水接管口污染物排放浓 (略) 《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)要求,氟化物执行梅村水处理厂接管要求,接管废水量参照执行《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表2单位产品基准排水量限值要求(≤6英寸芯片生产)。本项目只允许设置两个污水排放口。(2)废气环保措施:本项目采取有效的废气收集处理设施,减少大气污染物排放量。湿法刻蚀、酸法刻蚀产生的氟化物、氯化氢和硫酸雾经车间负压收集(收集效率100%)后通过“二级碱液喷淋”装置处理(处理效率90%);干法刻蚀产生的氯气、HBr、氯化氢、氟化物经车间负压收集(收集效率100%)后通过POU净化装置(Plasma+水洗)+二级碱液喷淋装置处理(处理效率85~90%);外延片生长、MOCVD关键零部件清洗产生的砷烷、磷烷、氯化氢经车间负压收集(收集效率100%)后通过二级干式吸附处理(处理效率85%);废气预处理产生的氮氧化物经车间负压收集(收集效率100%)后通过“二级碱液喷淋”装置处理(处理效率90%);以上废气经有效收集处理后通过25米高排气筒FQ-01排放。碱法刻蚀产生的氨气经车间负压收集(收集效率100%)后通过“二级酸液喷淋”装置处理,通过15米高FQ-02排气筒排放;光刻、去胶、表面清洗产生的TVOC(包括异*醇)通过设备自带管道收集,经二级活性炭吸附装置处理后通过15米高排气筒FQ-03排放。污水处理站产生的氨、硫化氢经加盖收集后通过活性炭吸附后后无组织排放。以上工序有组织排放的氟化物、氯化氢、氯气、氮氧化物、氨、异*醇、TVOC、硫酸雾、砷化 (略) 《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表3的标准;HBr参 (略) 地方标准《大气污染物综合排放标准》(DB31/933-2015)表1中的大气污染物排放限值。氟化物、氮氧化物厂界无组织浓 (略) 《大气污染物综合排放标准》(DB32/4041-2021)表3中排放限值要求;氯化氢、硫酸雾、非*烷总烃、氯气、氨厂界无组织浓 (略) 《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表4的标准无组织排放的硫化氢、臭气浓度排放参 (略) 《恶臭(异味)污染物排放标准》(DB31/1025-2016)表3和表4中工业区限值。非*烷总烃厂区内监控浓度限 (略) 地方标准《大气污染物综合排放标准》(DB32/4041-2021) 表2限值。(3)固废环保措施:本项目产生的废蒸发渣、废靶材、废包装材料、废芯片、废外延片、废膜组件、 (略) 相关单位回收利用;生活垃圾由环卫部门统一清运后填埋;废活性炭(HW49 900-039-49)、刻蚀废液(HW32 900-026-32)、废碱液(HW35 900-399-35)、废有机溶剂(HW06 900-404-06)、废显影液(HW16 900-019-16)、废光刻胶(HW06 900-404-06)、减薄废液(HW35 900-399-35)、废抛光液(HW17 336-064-17)、擦拭废物(HW49 900-041-49)、废包装容器(HW49 900-041-49)、污泥(HW49 772-006-49)、废胶膜(HW49 900-041-49)、含蜡废液(HW17 336-064-17)、沾染砷的固体(HW49 900-041-49)、废填料(HW13 900-015-13)应委托具备危险废物处置资质的单位进行安全处置。按“减量化、资源化、无害化”的处置原则,落实各类固体废物的收集、处置和综合利用措施,实现固体废物零排放。生活垃圾委托环卫部门处理;危险废物须委托有资质单位处置,实施转移前必须向环保行政管理部门申报转移手续。厂内危险废物的收集和贮存须符合《危险废物贮存污染控制标准》(GB18597-2001)和《 (略) 固体废物污染环境防治条例》的有关要求。(4)噪声环保措施分析:选用低噪声设备,合理布局并采取有效的减振、隔声等降噪措施,厂界噪声达到《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348-2008)3类排放标准。 | 0510-*,*@*63.com |
公开时间:**日~**日(5个工作日)
听证权利告知:依据《中华人民共和国行政许可法》,自公示起五日内申请人、利害关系人可对以上拟作出的建设项目环境影响评价文件批复决定要求听证。
序号 | 项目名称 | 建设地点 | 建设单位 | 环评机构 | 项目概况 | 主要环境影响及预防或者减轻不良环境影响的对策和措施 | 公众反馈意见的 联系方式 |
1 | 年产试剂瓶产品1000万套生产车间项目 | (略) 新吴区梅村工业园锡达路530号 | 无锡耐思 (略) | (略) 科泓环境 (略) | 无锡耐思 (略) 成立于2009年2月。主要从事生物实验耗材、医疗器械等制造及销售。本项目建成后,全厂设计生产规模为生物实验分析耗材33000万套/年、医疗器械18300万套/年、试剂瓶1000万套/年。 | 1)废气:成型废气:采用密闭负压系统收集,收集效率98%,经二级活性炭处理,处理效率90%。上述尾气通过1根15m高排气筒FQ-07排放。非*烷总烃(包括酚类、氯苯类)有组织排放执行《合成树脂工业污染物排放标准》(GB31572-2015)表5标准;无组织非*烷总烃执行《合成树脂工业污染物排放标准》(GB31572-2015)表9标准;无组织酚类、氯苯 (略) 地方标准《大气污染物综合排放标准》(DB32/4041-2021)表3标准;非*烷总烃厂内监控点浓 (略) 地方标准《大气污染物综合排放标准》(DB32/4041-2021)表2标准;2)废水:本项目生活污水经化粪池预处理后,与制纯废水、空调排水和清洗废水一并接管梅村水处理厂集中处理,接管口达到《污水综合排放标准》(GB8978-1996)表4中三级标准及《污水排入城镇下水道水质标准》(GB/T31962-2015)表1中A等级标准;3)噪声:本项目设备均为低噪声设备,厂界影响值满足《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348-2008)中3类标准;4)固废:一般工业固废由废品回收单位回收,生活垃圾由环卫部门统一清运,危险废物委托有资质单位处理处置,固废实现“零”排放。 | 0510-*,*@*63.com |
2 | 光通讯和激光雷达激光芯片FAB试验线建设项目 | (略) 新吴区高新区锡梅路111-10-1号 | (略) 华辰芯 (略) | 橙志(上海) (略) | (略) 华辰芯 (略) 成立于2021年,主要从事集成电路芯片及产品研发、电子元器件研发、集成电路芯片设计及服务、集成电路芯片及产品销售、半导体分立器件销售。公司坚持自主研发核心技术,核心产品聚焦于高可靠半导体激光器芯片和模块两个方向,核心技术来自GaAs 和InP领域内 (略) 的激光芯片设计、外延生长、Fab 工艺、封测、可 (略) 场开发专家,已成为高端激光芯片领域内的领先企业。华辰芯光无接触FAB技术优势:目前国内砷化镓和磷化铟的厂家从事InP(光通信,远距离激光雷达等)产品的公司的晶圆生产线主要为2英寸生产线,GaAs(工业激光,中近距离激光雷达等)主要是3英寸或4英寸生产线;而国外头部光电企业的InP为4寸为主,GaAs为6英寸为主,而无接触FAB技术正是为了从根本上解决以上问题,缩短差距。光纤通讯是当今最主要的有线通信方式,光通信产业链主要包括光器件、光纤线缆和光设备。光器件包括光芯片、有源器件、无源器件和光模块,光线缆包括光纤光缆和有源线缆,光设备包括传输设备和数通设备。据数据显示,2015年-2019年 (略) 场规模逐步增长,预计到2025年 (略) 场规模将达1750亿元。目前国际国内在光通信和激光雷达领域对大功率激光器和近红外激光器的需求持续增强,市场销售逐年增长,具有较好前景。由于国内相关领域内核心自主关键技术的产品不多,故国产化率不高,并且产能和技术相对比较落后,导致激光器的供应不足,而国外主流是4寸磷化铟和6寸砷化镓。 (略) 场和国内产业的现状,在此背景下, (略) 华辰芯 (略) 租用无锡星洲工业 (略) (略) (略) 新吴区高新区锡梅路111-10-1号厂房5389.22m2,建设光通讯和激光雷达激光芯片FAB试验线建设项目。项目总投资10000万元。 | (1)废水环保措施:本项目雨污分流,酸法刻蚀后清洗废水、碱法刻蚀后清洗废水和表面处理后清洗废水经厂区内废水处理站处理后,通过WS-02排放口污水接管口接管城镇污水管网;经污水处理站处理后的减薄后清洗废水、经化粪池预处理的生活污水、冷却废水、制纯废水和工艺冷却水通过WS-01排放污水接管口接管城镇污水管网,以上废水均接管梅村水处理厂处理,两个污水接管口污染物排放浓 (略) 《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)要求,氟化物执行梅村水处理厂接管要求,接管废水量参照执行《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表2单位产品基准排水量限值要求(≤6英寸芯片生产)。本项目只允许设置两个污水排放口。(2)废气环保措施:本项目采取有效的废气收集处理设施,减少大气污染物排放量。湿法刻蚀、酸法刻蚀产生的氟化物、氯化氢和硫酸雾经车间负压收集(收集效率100%)后通过“二级碱液喷淋”装置处理(处理效率90%);干法刻蚀产生的氯气、HBr、氯化氢、氟化物经车间负压收集(收集效率100%)后通过POU净化装置(Plasma+水洗)+二级碱液喷淋装置处理(处理效率85~90%);外延片生长、MOCVD关键零部件清洗产生的砷烷、磷烷、氯化氢经车间负压收集(收集效率100%)后通过二级干式吸附处理(处理效率85%);废气预处理产生的氮氧化物经车间负压收集(收集效率100%)后通过“二级碱液喷淋”装置处理(处理效率90%);以上废气经有效收集处理后通过25米高排气筒FQ-01排放。碱法刻蚀产生的氨气经车间负压收集(收集效率100%)后通过“二级酸液喷淋”装置处理,通过15米高FQ-02排气筒排放;光刻、去胶、表面清洗产生的TVOC(包括异*醇)通过设备自带管道收集,经二级活性炭吸附装置处理后通过15米高排气筒FQ-03排放。污水处理站产生的氨、硫化氢经加盖收集后通过活性炭吸附后后无组织排放。以上工序有组织排放的氟化物、氯化氢、氯气、氮氧化物、氨、异*醇、TVOC、硫酸雾、砷化 (略) 《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表3的标准;HBr参 (略) 地方标准《大气污染物综合排放标准》(DB31/933-2015)表1中的大气污染物排放限值。氟化物、氮氧化物厂界无组织浓 (略) 《大气污染物综合排放标准》(DB32/4041-2021)表3中排放限值要求;氯化氢、硫酸雾、非*烷总烃、氯气、氨厂界无组织浓 (略) 《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表4的标准无组织排放的硫化氢、臭气浓度排放参 (略) 《恶臭(异味)污染物排放标准》(DB31/1025-2016)表3和表4中工业区限值。非*烷总烃厂区内监控浓度限 (略) 地方标准《大气污染物综合排放标准》(DB32/4041-2021) 表2限值。(3)固废环保措施:本项目产生的废蒸发渣、废靶材、废包装材料、废芯片、废外延片、废膜组件、 (略) 相关单位回收利用;生活垃圾由环卫部门统一清运后填埋;废活性炭(HW49 900-039-49)、刻蚀废液(HW32 900-026-32)、废碱液(HW35 900-399-35)、废有机溶剂(HW06 900-404-06)、废显影液(HW16 900-019-16)、废光刻胶(HW06 900-404-06)、减薄废液(HW35 900-399-35)、废抛光液(HW17 336-064-17)、擦拭废物(HW49 900-041-49)、废包装容器(HW49 900-041-49)、污泥(HW49 772-006-49)、废胶膜(HW49 900-041-49)、含蜡废液(HW17 336-064-17)、沾染砷的固体(HW49 900-041-49)、废填料(HW13 900-015-13)应委托具备危险废物处置资质的单位进行安全处置。按“减量化、资源化、无害化”的处置原则,落实各类固体废物的收集、处置和综合利用措施,实现固体废物零排放。生活垃圾委托环卫部门处理;危险废物须委托有资质单位处置,实施转移前必须向环保行政管理部门申报转移手续。厂内危险废物的收集和贮存须符合《危险废物贮存污染控制标准》(GB18597-2001)和《 (略) 固体废物污染环境防治条例》的有关要求。(4)噪声环保措施分析:选用低噪声设备,合理布局并采取有效的减振、隔声等降噪措施,厂界噪声达到《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB12348-2008)3类排放标准。 | 0510-*,*@*63.com |
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