南昌凯迅光电股份有限公司高端化合物材料及器件扩建项目
发送至邮箱
南昌凯迅光电股份有限公司高端化合物材料及器件扩建项目
| 项目编号 | 2211-*-04-05-* |
|---|---|
| 项目名称 | 南昌凯迅光电股份有限公司高端化合物材料及器件扩建项目 |
| 建设项目所属区域 | 经济技术开发区 |
| 建设地点详情 | (略) , (略) ,临空开发区 |
| 详细地址 | (略) 经开区临空经济区黄堂西街199号 |
| 项目总投资 | 35518.2万元 |
| 建设规模及内容 | 本项目拟建第五代高效率太阳电池芯片、红光micro-LED及光通讯激光器外延片、芯片4万片，扩建太阳电池4寸外延片增至12万片，正极性LED 707亿粒。本项目投资总额：35,518.2万元，项目建设期为60个月，本项目工艺方案主要包括外延片和芯片生产工艺，其中， MOCVD增至22台，关键设备投资29,156.2万元。新建生产厂房建筑面积约9,723.49㎡ ；新建宿舍楼建筑面积约5,520.11㎡ ；新建*类仓库建筑面积约155㎡；新建危废仓库建筑面积280.7㎡；废水站日处理能力由600t/d扩容至2200t/d； |
| 建设单位 | 南昌 (略) |
| 开工时间 | 2023年 |
| 竣工时间 | 2026年 |
| 项目类型 | 备案类 |
| 备案状态 | 已备案 |
| 项目编号 | 2211-*-04-05-* |
|---|---|
| 项目名称 | 南昌凯迅光电股份有限公司高端化合物材料及器件扩建项目 |
| 建设项目所属区域 | 经济技术开发区 |
| 建设地点详情 | (略) , (略) ,临空开发区 |
| 详细地址 | (略) 经开区临空经济区黄堂西街199号 |
| 项目总投资 | 35518.2万元 |
| 建设规模及内容 | 本项目拟建第五代高效率太阳电池芯片、红光micro-LED及光通讯激光器外延片、芯片4万片，扩建太阳电池4寸外延片增至12万片，正极性LED 707亿粒。本项目投资总额：35,518.2万元，项目建设期为60个月，本项目工艺方案主要包括外延片和芯片生产工艺，其中， MOCVD增至22台，关键设备投资29,156.2万元。新建生产厂房建筑面积约9,723.49㎡ ；新建宿舍楼建筑面积约5,520.11㎡ ；新建*类仓库建筑面积约155㎡；新建危废仓库建筑面积280.7㎡；废水站日处理能力由600t/d扩容至2200t/d； |
| 建设单位 | 南昌 (略) |
| 开工时间 | 2023年 |
| 竣工时间 | 2026年 |
| 项目类型 | 备案类 |
| 备案状态 | 已备案 |
招投标大数据
最近搜索
无
热门搜索
无
