南昌凯迅光电股份有限公司高端化合物材料及器件扩建项目-项目赋码情况公示

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南昌凯迅光电股份有限公司高端化合物材料及器件扩建项目-项目赋码情况公示

项目编号2211-*-04-05-*
项目名称南昌 (略) 高端化合物材料及器件扩建项目
建设项目所属区域经济技术开发区
建设地点详情 (略) , (略) ,临空开发区
详细地址 (略) 经开区临空经济区黄堂西街199号
项目总投资35518.2万元
建设规模及内容本项目拟建第五代高效率太阳电池芯片、红光micro-LED及光通讯激光器外延片、芯片4万片,扩建太阳电池4寸外延片增至12万片,正极性LED 707亿粒。本项目投资总额:35,518.2万元,项目建设期为60个月,本项目工艺方案主要包括外延片和芯片生产工艺,其中, MOCVD增至22台,关键设备投资29,156.2万元。新建生产厂房建筑面积约9,723.49㎡ ;新建宿舍楼建筑面积约5,520.11㎡ ;新建*类仓库建筑面积约155㎡;新建危废仓库建筑面积280.7㎡;废水站日处理能力由600t/d扩容至2200t/d;
建设单位南昌 (略)
开工时间2023年
竣工时间2026年
项目类型备案类
备案状态已备案
项目编号2211-*-04-05-*
项目名称南昌 (略) 高端化合物材料及器件扩建项目
建设项目所属区域经济技术开发区
建设地点详情 (略) , (略) ,临空开发区
详细地址 (略) 经开区临空经济区黄堂西街199号
项目总投资35518.2万元
建设规模及内容本项目拟建第五代高效率太阳电池芯片、红光micro-LED及光通讯激光器外延片、芯片4万片,扩建太阳电池4寸外延片增至12万片,正极性LED 707亿粒。本项目投资总额:35,518.2万元,项目建设期为60个月,本项目工艺方案主要包括外延片和芯片生产工艺,其中, MOCVD增至22台,关键设备投资29,156.2万元。新建生产厂房建筑面积约9,723.49㎡ ;新建宿舍楼建筑面积约5,520.11㎡ ;新建*类仓库建筑面积约155㎡;新建危废仓库建筑面积280.7㎡;废水站日处理能力由600t/d扩容至2200t/d;
建设单位南昌 (略)
开工时间2023年
竣工时间2026年
项目类型备案类
备案状态已备案
    
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