6-8英寸SiC外延晶片研发及产业化项目(一期)环境影响评价报告表公示信息
6-8英寸SiC外延晶片研发及产业化项目(一期)环境影响评价报告表公示信息
根据环境保护部《关于印发<建设项目环境影响评价政府信息公开指南(试行)>的通知》(环办[2013]103号)和《关于印发<建设项目环境影响评价信息公开机制方案>的通知》(环发[2015]162号),我单位已委托福建 (略) 编制完成《6-8英寸SiC外延晶片研发及产业化项目(一期)环境影响报告表》,现向社会公开环境影响报告表全本(已删除涉及国家秘密、商业秘密、个人隐私以及涉及国家安全、公共安全、经济安全和社会稳定的内容)。
一、项目的基本情况概况:
(1)项目名称:6-8英寸SiC外延晶片研发及产业化项目(一期)
(2)项目概况:瀚天天成电子科技(厦门)有限公司主要从事6-8英寸SiC外延晶片研发及生产,项目 (略) 翔安高新技 (略) 头二路与舫阳南路交叉口西南侧,新增75条碳化硅外延晶片生产线(配套尾气净化器)、1套纯水机组及其他生产设备,预计新增产能年产碳化硅外延晶片30万片。
二、建设单位名称和联系方式:
(1)建设单位名称:瀚天天成电子科技(厦门)有限公司
(2)联系地址: (略) 翔安高新技 (略) 头二路与舫阳南路交叉口西南侧
(3)联系人:方春黎
三、评价单位
(1)评价单位名称:福建 (略)
(2)联系地址: (略) 鼓楼区五凤街道丞相路190号月亮湾小区西区8#楼1层
(3)联系人:蔡先生
(4)联系电话:*
欢迎公众积极参与本项目的环境影响评价工作,特此公告。
根据环境保护部《关于印发<建设项目环境影响评价政府信息公开指南(试行)>的通知》(环办[2013]103号)和《关于印发<建设项目环境影响评价信息公开机制方案>的通知》(环发[2015]162号),我单位已委托福建 (略) 编制完成《6-8英寸SiC外延晶片研发及产业化项目(一期)环境影响报告表》,现向社会公开环境影响报告表全本(已删除涉及国家秘密、商业秘密、个人隐私以及涉及国家安全、公共安全、经济安全和社会稳定的内容)。
一、项目的基本情况概况:
(1)项目名称:6-8英寸SiC外延晶片研发及产业化项目(一期)
(2)项目概况:瀚天天成电子科技(厦门)有限公司主要从事6-8英寸SiC外延晶片研发及生产,项目 (略) 翔安高新技 (略) 头二路与舫阳南路交叉口西南侧,新增75条碳化硅外延晶片生产线(配套尾气净化器)、1套纯水机组及其他生产设备,预计新增产能年产碳化硅外延晶片30万片。
二、建设单位名称和联系方式:
(1)建设单位名称:瀚天天成电子科技(厦门)有限公司
(2)联系地址: (略) 翔安高新技 (略) 头二路与舫阳南路交叉口西南侧
(3)联系人:方春黎
三、评价单位
(1)评价单位名称:福建 (略)
(2)联系地址: (略) 鼓楼区五凤街道丞相路190号月亮湾小区西区8#楼1层
(3)联系人:蔡先生
(4)联系电话:*
欢迎公众积极参与本项目的环境影响评价工作,特此公告。
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