苏 (略) 年产GaN及LDMOS射频高功率半导体封装器件100万颗项目环境影响报告表公示

建设单位根据环保部《关于印发〈建设项目环境影响评价政府信息公开指南（试行）〉的通知》（环办[2013]103号）等有关规定，为充分了解《苏 (略) 年产GaN及LDMOS射频高功率半导体封装器件100万颗项目环境影响报告表》周边各界对该项目建设的意见，更好地做好本项目的环境保护工作，现对该项目环境影响报告表（全本）进行公示，并征求公众意见。公示期为公示之日起2个工作日。

一、建设项目概要

项目名称：苏 (略) 年产GaN及LDMOS射频高功率半导体封装器件100万颗项目

建设单位：苏 (略)

建设地点：苏州工业园东富路45号联创产业园7幢

项目内容：随着半导体封装行业的快速发展，市场对射频高功率半导体电子器件的需求越来越大，苏 (略) 拟投资3500万元，对现址现有项目进行整体搬迁，搬迁至东富路45号联创产业园7幢，租用已建标准厂房建筑面积5001.66平方米，年产GaN及LDMOS射频高功率半导体封装器件100万颗项目。

二、项目建设单位名称和联系方式

建设单位：苏 (略)

通讯地点：苏州工业园东富路45号联创产业园7幢

联系人：陈总

三、承担评价工作的环境影响评价机构的名称和联系方式

环评机构：苏州 (略)

联系人：蒋工

联系邮箱：*@*q.com

四、征求公众意见的主要事项

公众对本项目建设环境保护方面的意见和建议（不接纳与环境保护无关的问题）。

苏 (略) 年产GaN及LDMOS射频高功率半导体封装器件100万颗项目 - 副本自主公示.pdf

苏 (略) 年产GaN及LDMOS射频高功率半导体封装器件100万颗项目环境影响报告表公示

建设单位根据环保部《关于印发〈建设项目环境影响评价政府信息公开指南（试行）〉的通知》（环办[2013]103号）等有关规定，为充分了解《苏 (略) 年产GaN及LDMOS射频高功率半导体封装器件100万颗项目环境影响报告表》周边各界对该项目建设的意见，更好地做好本项目的环境保护工作，现对该项目环境影响报告表（全本）进行公示，并征求公众意见。公示期为公示之日起2个工作日。

一、建设项目概要

项目名称：苏 (略) 年产GaN及LDMOS射频高功率半导体封装器件100万颗项目

建设单位：苏 (略)

建设地点：苏州工业园东富路45号联创产业园7幢

项目内容：随着半导体封装行业的快速发展，市场对射频高功率半导体电子器件的需求越来越大，苏 (略) 拟投资3500万元，对现址现有项目进行整体搬迁，搬迁至东富路45号联创产业园7幢，租用已建标准厂房建筑面积5001.66平方米，年产GaN及LDMOS射频高功率半导体封装器件100万颗项目。

二、项目建设单位名称和联系方式

建设单位：苏 (略)

通讯地点：苏州工业园东富路45号联创产业园7幢

联系人：陈总

三、承担评价工作的环境影响评价机构的名称和联系方式

环评机构：苏州 (略)

联系人：蒋工

联系邮箱：*@*q.com

四、征求公众意见的主要事项

公众对本项目建设环境保护方面的意见和建议（不接纳与环境保护无关的问题）。

苏 (略) 年产GaN及LDMOS射频高功率半导体封装器件100万颗项目 - 副本自主公示.pdf