时间：2023-04-06

主要建设规模及内容：在已购置土地上，新建三代半导体技术创新中心配套建设的3栋建筑，总建筑面积45268.8平方米（以规划方案批复为准），建成后具备年产8万片/年陶瓷基板、100万只/年HTCC管壳和2万套/年电路模块的生产能力。实现年销售收入49966万元，年利税10000万元、解决就业50人。本项目新建生产厂房2栋、展示中心1栋及配套设施等，搭建LTCC陶瓷基板生产线及HTCC管壳生产线、微电子共烧陶瓷器件智能制造生产线，利旧改造设备及仪器340台（套），新购设备及仪器57台（套）。

项目单位经济类型：事业单位

建设地点：金谷路30号

审核状态：尚未审核

单位名称:西北电子装备技术研究所（ (略) 第二研究所）

项目法人：唐**

建设性质：扩建

计划开工时间：2023年6月

时间：2023-04-06

主要建设规模及内容：在已购置土地上，新建三代半导体技术创新中心配套建设的3栋建筑，总建筑面积45268.8平方米（以规划方案批复为准），建成后具备年产8万片/年陶瓷基板、100万只/年HTCC管壳和2万套/年电路模块的生产能力。实现年销售收入49966万元，年利税10000万元、解决就业50人。本项目新建生产厂房2栋、展示中心1栋及配套设施等，搭建LTCC陶瓷基板生产线及HTCC管壳生产线、微电子共烧陶瓷器件智能制造生产线，利旧改造设备及仪器340台（套），新购设备及仪器57台（套）。

项目单位经济类型：事业单位

建设地点：金谷路30号

审核状态：尚未审核

单位名称:西北电子装备技术研究所（ (略) 第二研究所）

项目法人：唐**

建设性质：扩建

计划开工时间：2023年6月