项目代码:2304-*-04-05-*
项目名称:大尺寸高质量Si基GaN薄膜材料及异质结构外延生长研究
单位名称:陕西半导体 (略)
项目法人:何晓宁
建设地点: (略) 西安高新区西三环与锦业路十字西北角西安半导体产业园103号一层
申报单位经济类型: (略)
项目所属行业:科学研究和技术服务业-研究和试验发展-工程和技术研究和试验发展-工程和技术研究和试验发展
项目总投资:1000(万元)
建设性质:技改及其他
计划开工时间:*
审核状态:尚未审核
建设规模及内容:项目拟添置设备5台（套），包含湿法刻蚀，PVD、退火等设备，用于Si基GaN薄膜材料及异质结构外延生长研究。重点开展大尺寸Si基GaN外延材料生长等关键技术研究。项目建成后将在微波功率器件制备的产业化中应用。（该备案为告知性备案，涉及有关行业管理部门职责的，以行业管理部门意见为准）

项目代码:2304-*-04-05-*
项目名称:大尺寸高质量Si基GaN薄膜材料及异质结构外延生长研究
单位名称:陕西半导体 (略)
项目法人:何晓宁
建设地点: (略) 西安高新区西三环与锦业路十字西北角西安半导体产业园103号一层
申报单位经济类型: (略)
项目所属行业:科学研究和技术服务业-研究和试验发展-工程和技术研究和试验发展-工程和技术研究和试验发展
项目总投资:1000(万元)
建设性质:技改及其他
计划开工时间:*
审核状态:尚未审核
建设规模及内容:项目拟添置设备5台（套），包含湿法刻蚀，PVD、退火等设备，用于Si基GaN薄膜材料及异质结构外延生长研究。重点开展大尺寸Si基GaN外延材料生长等关键技术研究。项目建成后将在微波功率器件制备的产业化中应用。（该备案为告知性备案，涉及有关行业管理部门职责的，以行业管理部门意见为准）