江西宏科新材料有限公司年产210吨第三代半导体原辅材项目
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江西宏科新材料有限公司年产210吨第三代半导体原辅材项目
| 项目信息 | |
|---|---|
| 备案项目编号 | 2305-*-04-05-* |
| 项目名称 | 江西宏科新材料有限公司年产210吨第三代半导体原辅材项目 |
| 建设项目所属区域 | (略) |
| 建设地点详情 | (略) , (略) , (略) |
| 详细地址 | 江西 (略) 塔山工业园工业九路 |
| 项目总投资 | 2500万元 |
| 建设规模及内容 | 本项目建设 (略) (略) 塔山工业园区工业九路宏柏科技园，一期用地面积1200平米，建筑面积2500平米。该项目主要建设内容：年产100吨高纯半导体级石墨粉、1万平米电子级石墨保温材料,100吨半导体碳化硅多晶粉源。该项目总投资2500万元，资金来源于自筹。主要原材料：石墨粉，粘胶基石墨毡，高纯半导体石墨和高纯硅粉。工艺流程：在脉冲高温、高真空连续纯化炉中，通过变压解析技术达到纯化效果。纯化后的石墨纯度可以达到6N，满足半导体碳化硅多晶粉源的需求。电子级石墨毡：在脉冲高温、高真空多级纯化炉中，通过变压解析技术达到纯化目的。纯化后的石墨毡纯度可以达到6N，满足半导体碳化硅多晶及单晶的需求。碳化硅多晶粉源：通过自挥发催化剂的作用下，通过常温净化、中温晶化、变压净化技术、极限真空净化等方式，在结晶炉中发生自蔓延固相烧结，再通过温度曲线控制晶向、高温区实现晶向转型，从而完成高纯碳化硅多晶粉源的制备。根据国民经济行业分类，属于（分类号 3985）类别名称：电子专用材料制造中的半导体材料。该技术为国际上单炉最大产量，成本最低、产品质量完全满足单晶生长。环保无排放，其环境保护符合有关法律法规、标准的要求。 |
| 建设单位 | 江 (略) |
| 开工时间 | *年 |
| 竣工时间 | *年 |
| 项目类型 | 备案 |
| 备案状态 | 已备案 |
| 项目信息 | |
|---|---|
| 备案项目编号 | 2305-*-04-05-* |
| 项目名称 | 江西宏科新材料有限公司年产210吨第三代半导体原辅材项目 |
| 建设项目所属区域 | (略) |
| 建设地点详情 | (略) , (略) , (略) |
| 详细地址 | 江西 (略) 塔山工业园工业九路 |
| 项目总投资 | 2500万元 |
| 建设规模及内容 | 本项目建设 (略) (略) 塔山工业园区工业九路宏柏科技园，一期用地面积1200平米，建筑面积2500平米。该项目主要建设内容：年产100吨高纯半导体级石墨粉、1万平米电子级石墨保温材料,100吨半导体碳化硅多晶粉源。该项目总投资2500万元，资金来源于自筹。主要原材料：石墨粉，粘胶基石墨毡，高纯半导体石墨和高纯硅粉。工艺流程：在脉冲高温、高真空连续纯化炉中，通过变压解析技术达到纯化效果。纯化后的石墨纯度可以达到6N，满足半导体碳化硅多晶粉源的需求。电子级石墨毡：在脉冲高温、高真空多级纯化炉中，通过变压解析技术达到纯化目的。纯化后的石墨毡纯度可以达到6N，满足半导体碳化硅多晶及单晶的需求。碳化硅多晶粉源：通过自挥发催化剂的作用下，通过常温净化、中温晶化、变压净化技术、极限真空净化等方式，在结晶炉中发生自蔓延固相烧结，再通过温度曲线控制晶向、高温区实现晶向转型，从而完成高纯碳化硅多晶粉源的制备。根据国民经济行业分类，属于（分类号 3985）类别名称：电子专用材料制造中的半导体材料。该技术为国际上单炉最大产量，成本最低、产品质量完全满足单晶生长。环保无排放，其环境保护符合有关法律法规、标准的要求。 |
| 建设单位 | 江 (略) |
| 开工时间 | *年 |
| 竣工时间 | *年 |
| 项目类型 | 备案 |
| 备案状态 | 已备案 |
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