第六代硅衬底大功率LED外延芯片技术开发及产业化项目
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第六代硅衬底大功率LED外延芯片技术开发及产业化项目
| 项目信息 | |
|---|---|
| 备案项目编号 | 2305-*-04-05-* |
| 项目名称 | 第六代硅衬底大功率LED外延芯片技术开发及产业化项目 |
| 建设项目所属区域 | 高新开发区 |
| 建设地点详情 | (略) , (略) ,南昌国家高新技术产业开发区 |
| 详细地址 | 艾溪湖北路699号 |
| 项目总投资 | 3200万元 |
| 建设规模及内容 | 本项目利用现有厂房和研发设备，基于硅衬底LED技术，采用新的外延片结构，开发透明导电层ITO沉积工艺，研究ITO退火工艺对欧姆接触和透光率的影响，研究氧化硅厚度对芯片亮度的影响，并不断开发优化其他相关关键技术工艺，实现第六代硅衬底大功率LED外延、芯片技术开发及产业化，提升产品性能、良率及可靠性。预期建成达成后可形成年产1.2亿颗第六代硅衬底LED芯片的产能。 |
| 建设单位 | (略) |
| 开工时间 | *年 |
| 竣工时间 | *年 |
| 项目类型 | 备案 |
| 备案状态 | 已备案 |
| 项目信息 | |
|---|---|
| 备案项目编号 | 2305-*-04-05-* |
| 项目名称 | 第六代硅衬底大功率LED外延芯片技术开发及产业化项目 |
| 建设项目所属区域 | 高新开发区 |
| 建设地点详情 | (略) , (略) ,南昌国家高新技术产业开发区 |
| 详细地址 | 艾溪湖北路699号 |
| 项目总投资 | 3200万元 |
| 建设规模及内容 | 本项目利用现有厂房和研发设备，基于硅衬底LED技术，采用新的外延片结构，开发透明导电层ITO沉积工艺，研究ITO退火工艺对欧姆接触和透光率的影响，研究氧化硅厚度对芯片亮度的影响，并不断开发优化其他相关关键技术工艺，实现第六代硅衬底大功率LED外延、芯片技术开发及产业化，提升产品性能、良率及可靠性。预期建成达成后可形成年产1.2亿颗第六代硅衬底LED芯片的产能。 |
| 建设单位 | (略) |
| 开工时间 | *年 |
| 竣工时间 | *年 |
| 项目类型 | 备案 |
| 备案状态 | 已备案 |
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