新型显示高效率芯片关键技术攻关及产业化项目-项目赋码情况公示

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新型显示高效率芯片关键技术攻关及产业化项目-项目赋码情况公示

项目编号 2307-*-04-05-*
项目名称 新型显示高效率MicroLED芯片关键技术攻关及产业化项目
建设项目所属区域 高新开发区
建设地点详情 (略) , (略) ,南昌国家高新技术产业开发区
详细地址 (略) 高新区天祥北大道1717号
项目总投资 19000万元
建设规模及内容 在原有厂房及场地的基础上,开展红、绿、蓝三基色 Micro-LED显示芯片研发关键技术攻关及产业化项目,实现Micro-LED芯片从结构设计、外延材料生长、芯片制备到系统集成、高阶显示的全链条技术攻关,满足Micro-LED显示屏高分辨率、高亮度,高均匀性的技术要求及实现产业化。项目计划购置红光用MOCVD、蓝绿光MOCVD、高精度ICP蚀刻机、PECVD气相沉积设备、ALD原子层沉积、激光剥离设备、激光巨量转移设备等Micro-LED外延及芯片配套设备,建设红绿蓝三基色 Micro-LED生产线1条,形成年产60000KK高性能RGB 三基色Micro-LED芯片的能力(R\G\B各20000KK)。
建设单位 江 (略)
开工时间 2023年07月
竣工时间 2026年06月
项目类型 备案类
备案状态 未备案
项目编号 2307-*-04-05-*
项目名称 新型显示高效率MicroLED芯片关键技术攻关及产业化项目
建设项目所属区域 高新开发区
建设地点详情 (略) , (略) ,南昌国家高新技术产业开发区
详细地址 (略) 高新区天祥北大道1717号
项目总投资 19000万元
建设规模及内容 在原有厂房及场地的基础上,开展红、绿、蓝三基色 Micro-LED显示芯片研发关键技术攻关及产业化项目,实现Micro-LED芯片从结构设计、外延材料生长、芯片制备到系统集成、高阶显示的全链条技术攻关,满足Micro-LED显示屏高分辨率、高亮度,高均匀性的技术要求及实现产业化。项目计划购置红光用MOCVD、蓝绿光MOCVD、高精度ICP蚀刻机、PECVD气相沉积设备、ALD原子层沉积、激光剥离设备、激光巨量转移设备等Micro-LED外延及芯片配套设备,建设红绿蓝三基色 Micro-LED生产线1条,形成年产60000KK高性能RGB 三基色Micro-LED芯片的能力(R\G\B各20000KK)。
建设单位 江 (略)
开工时间 2023年07月
竣工时间 2026年06月
项目类型 备案类
备案状态 未备案
    
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