硅基氮化镓GaNHEMT结构电力电子芯片技术改造项目

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硅基氮化镓GaNHEMT结构电力电子芯片技术改造项目

硅基氮化镓（GaN）HEMT结构电力电子芯片技术改造项目

未知 时间:2023-07-10
杭州士 (略) 拟利用现有厂房，在已有的芯片产品研发平台的基础上，引进具有国际先进水平的光刻机、刻蚀机、金属溅射台等设备11台（套），购入国产设备清洗机1台（套），形成新增年产1万片硅基氮化镓（GaN）HEMT结构电力电子芯片的生产能力。该项目已由钱塘区行政审批局进行备案（项目代码：2012-*-89-02-*）。该项目环境项目报告表已编制完成，现进行公示。

http://**_*.rar

硅基氮化镓（GaN）HEMT结构电力电子芯片技术改造项目

未知 时间:2023-07-10
杭州士 (略) 拟利用现有厂房，在已有的芯片产品研发平台的基础上，引进具有国际先进水平的光刻机、刻蚀机、金属溅射台等设备11台（套），购入国产设备清洗机1台（套），形成新增年产1万片硅基氮化镓（GaN）HEMT结构电力电子芯片的生产能力。该项目已由钱塘区行政审批局进行备案（项目代码：2012-*-89-02-*）。该项目环境项目报告表已编制完成，现进行公示。

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