项目名称:3D NAND存储器制造工艺用光刻胶 关键核心辅助材料
建设内容及规模:①感光性酚醛树脂组合物：攻克一款酚醛树脂体系光敏低温固化保护层，在分辨率接近5μm的同时涂覆厚度需达到10μm。需突破此款聚酰亚胺的全生命周期杂质控制技术。 ②含硅底部抗反射涂层：攻克一款曝光波长为193nm的含硅底部抗反射涂层。需突破杂质控制技术。 ③通过产线验证，获得产线验证报告。
项目代码:
项目单位:湖北鼎 (略)
项目总投资（万元）:30000
拟开工时间:2023-10
申报日期:2023-07-11 17:17:04

项目名称:3D NAND存储器制造工艺用光刻胶 关键核心辅助材料
建设内容及规模:①感光性酚醛树脂组合物：攻克一款酚醛树脂体系光敏低温固化保护层，在分辨率接近5μm的同时涂覆厚度需达到10μm。需突破此款聚酰亚胺的全生命周期杂质控制技术。 ②含硅底部抗反射涂层：攻克一款曝光波长为193nm的含硅底部抗反射涂层。需突破杂质控制技术。 ③通过产线验证，获得产线验证报告。
项目代码:
项目单位:湖北鼎 (略)
项目总投资（万元）:30000
拟开工时间:2023-10
申报日期:2023-07-11 17:17:04