项目名称:第三代半导体5G通信氮化镓RF功率器件芯片新能源功率器件IGBT模块生产项目
建设内容及规模:一期项目征地约60亩，新购设备约1.5亿元。建设第三代半导体5G通信氮化镓RF功率器件芯片新能源功率器件IGBT模块生产项目，包含主要设备为GaN外延片芯片生产线6条，5G通信芯片封装生产线12条，IGBT功率器件生产线生产线2条，光电模块产线生产线10条，传感器及设备生产线6条。
项目单位: (略)
法人代表姓名:金春晓
申报日期:2023-08-08 17:30:06

项目名称:第三代半导体5G通信氮化镓RF功率器件芯片新能源功率器件IGBT模块生产项目
建设内容及规模:一期项目征地约60亩，新购设备约1.5亿元。建设第三代半导体5G通信氮化镓RF功率器件芯片新能源功率器件IGBT模块生产项目，包含主要设备为GaN外延片芯片生产线6条，5G通信芯片封装生产线12条，IGBT功率器件生产线生产线2条，光电模块产线生产线10条，传感器及设备生产线6条。
项目单位: (略)
法人代表姓名:金春晓
申报日期:2023-08-08 17:30:06