硅衬底及氮化镓HEMT射频器件研发项目-备案信息公示
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硅衬底及氮化镓HEMT射频器件研发项目-备案信息公示
| 项目编号 | 2308-*-04-05-* |
|---|---|
| 项目名称 | 硅衬底MicroLED及氮化镓HEMT射频器件研发项目 |
| 建设项目所属区域 | 高新开发区 |
| 建设地点详情 | (略) , (略) ,南昌国家高新技术产业开发区 |
| 详细地址 | (略) 高新区艾溪湖北路699号 |
| 项目总投资 | 20769.28万元 |
| 建设规模及内容 | 本项目拟装修改造现有厂房建筑面积约500平方米用于硅衬底Micro LED及氮化镓HEMT射频器件研发，具体分为两个子项目实施：（1）硅衬底Micro LED研发项目，该子项目拟投资10597.75万元，新购置晶圆键合机等设备，用于硅衬底Micro LED研发；（2）硅衬底氮化镓HEMT射频器件研发项目，该子项目拟投资10171.53万元，新购置离子注入机等设备及软件系统，用于硅衬底氮化镓HEMT射频器件研发。 |
| 建设单位 | (略) |
| 开工时间 | 2024年07月 |
| 竣工时间 | 2026年06月 |
| 项目类型 | 备案类 |
| 备案状态 | 已备案 |
| 项目编号 | 2308-*-04-05-* |
|---|---|
| 项目名称 | 硅衬底MicroLED及氮化镓HEMT射频器件研发项目 |
| 建设项目所属区域 | 高新开发区 |
| 建设地点详情 | (略) , (略) ,南昌国家高新技术产业开发区 |
| 详细地址 | (略) 高新区艾溪湖北路699号 |
| 项目总投资 | 20769.28万元 |
| 建设规模及内容 | 本项目拟装修改造现有厂房建筑面积约500平方米用于硅衬底Micro LED及氮化镓HEMT射频器件研发，具体分为两个子项目实施：（1）硅衬底Micro LED研发项目，该子项目拟投资10597.75万元，新购置晶圆键合机等设备，用于硅衬底Micro LED研发；（2）硅衬底氮化镓HEMT射频器件研发项目，该子项目拟投资10171.53万元，新购置离子注入机等设备及软件系统，用于硅衬底氮化镓HEMT射频器件研发。 |
| 建设单位 | (略) |
| 开工时间 | 2024年07月 |
| 竣工时间 | 2026年06月 |
| 项目类型 | 备案类 |
| 备案状态 | 已备案 |
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