杭州士兰集昕微电子有限公司硅基氮化镓GaNHEMT结构电力电子芯片技术改造环境影响报告表
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杭州士 (略) 《杭州士 (略) 硅基氮化镓（GaN）HEMT结构电力电子芯片技术改造项目环境影响报告表》环保竣工验收材料于2023年8月28日进行公示，具体公示内容见附件。
项目负责人联系电话：朱经理 *
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