项目名称

舜宇奥来半导体光电（上海）有限公司研发中心二期项目

项目名称

舜宇奥来半导体光电（上海）有限公司研发中心二期项目

建设地点

浦东新区 (略) 浦东新区康桥镇康威路299 号3幢B区1-2层

所属行业

研究和试验发展

项目内容

项目建设光学器件定制制造技术研发线，研发工艺包括膜层沉积、匀胶光刻、刻蚀、去胶、压印、抛光，新增压印、抛光工艺。二期项目涉及晶圆尺寸为4英寸、8英寸两种形式，新增压印、抛光工艺研发，研发规模分别为22500次／年、35000次／年，其他研发工艺规模增加，膜层沉积、匀胶光刻、刻蚀、去胶研发工艺分别增加52500次／年、17500次／年、75000次／年、40000次／年 ，项目建成后总的研发规模为每年进行22500次压印，57000次膜层沉积，24900次匀胶光刻，79000次刻蚀，42000次去胶。项目包含对研发产品的检测，不涉及中试

建设单位名称

舜宇奥来半导体光电（上海）有限公司

建设单位地址

(略) 浦东新区康桥镇康威路299 号

建设单位联系人

罗发忠

联系电话

*

电子邮箱

*@*unnyoptical.com

传真

无

环评机构名称

上海 (略)

拟报批的环境影响报告表全文

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项目名称

舜宇奥来半导体光电（上海）有限公司研发中心二期项目

项目名称

舜宇奥来半导体光电（上海）有限公司研发中心二期项目

建设单位

舜宇奥来半导体光电（上海）有限公司

所属行业

研究和试验发展

建设地点

浦东新区 (略) 浦东新区康桥镇康威路299 号3幢B区1-2层

项目基本信息

舜宇奥来半导体光电（上海）有限公司租赁威上电子（上海）有限公司现有厂区3幢B区1-2层作为研发基地，厂 (略) 浦东新区康桥镇康威路299号，一期项目租赁建筑面积4750m2（已预留二期项目用地），本次不新增租赁区域。二期项目主要研究光学器件定制制造技术，涉及晶圆尺寸为4英寸、8英寸两种形式，新增压印、抛光工艺研发，研发规模分别为22500次／年、35000次／年，其他研发工艺规模增加，膜层沉积、匀胶光刻、刻蚀、去胶研发工艺分别增加52500次／年、17500次／年、75000次／年、40000次／年 ，项目建成后总的研发规模为每年进行22500次压印，57000次膜层沉积，24900次匀胶光刻，79000次刻蚀，42000次去胶。项目包含对研发产品的检测，不涉及中试。一期项目设计使用8英寸晶圆2000片，二期项目设计使用8英寸晶圆17500片，4英寸晶圆5000片。二期项目除SC-1溶液清洗依托一期设备外，其余工艺均利用新增设备完成。

设计单位

上海建旗 (略)

计划开工日期

2023-03-06

环评项目登记号

／

环评批文文号

沪浦环保许评【2023】49号

环评批文日期

2023-02-27

联系人

罗发忠

联系电话

*

电子邮箱

*@*unnyoptical.com

实际开工日期

2023-03-06

实际开工日期

2023-03-06

施工期环保措施落实情况（pdf）

施工期环保措施落实情况.pdf

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施工期环境监测结果（pdf）

开始调试日期

竣工日期

开始调试日期

联系人

联系电话

非重大调整报告（pdf）

环保措施落实情况（pdf）

公示起始日期

公示起始日期

验收报告

项目名称

舜宇奥来半导体光电（上海）有限公司研发中心二期项目

项目名称

舜宇奥来半导体光电（上海）有限公司研发中心二期项目

建设地点

浦东新区 (略) 浦东新区康桥镇康威路299 号3幢B区1-2层

所属行业

研究和试验发展

项目内容

项目建设光学器件定制制造技术研发线，研发工艺包括膜层沉积、匀胶光刻、刻蚀、去胶、压印、抛光，新增压印、抛光工艺。二期项目涉及晶圆尺寸为4英寸、8英寸两种形式，新增压印、抛光工艺研发，研发规模分别为22500次／年、35000次／年，其他研发工艺规模增加，膜层沉积、匀胶光刻、刻蚀、去胶研发工艺分别增加52500次／年、17500次／年、75000次／年、40000次／年 ，项目建成后总的研发规模为每年进行22500次压印，57000次膜层沉积，24900次匀胶光刻，79000次刻蚀，42000次去胶。项目包含对研发产品的检测，不涉及中试

建设单位名称

舜宇奥来半导体光电（上海）有限公司

建设单位地址

(略) 浦东新区康桥镇康威路299 号

建设单位联系人

罗发忠

联系电话

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电子邮箱

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传真

无

环评机构名称

上海 (略)

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舜宇奥来半导体光电（上海）有限公司研发中心二期项目

项目名称

舜宇奥来半导体光电（上海）有限公司研发中心二期项目

建设单位

舜宇奥来半导体光电（上海）有限公司

所属行业

研究和试验发展

建设地点

浦东新区 (略) 浦东新区康桥镇康威路299 号3幢B区1-2层

项目基本信息

舜宇奥来半导体光电（上海）有限公司租赁威上电子（上海）有限公司现有厂区3幢B区1-2层作为研发基地，厂 (略) 浦东新区康桥镇康威路299号，一期项目租赁建筑面积4750m2（已预留二期项目用地），本次不新增租赁区域。二期项目主要研究光学器件定制制造技术，涉及晶圆尺寸为4英寸、8英寸两种形式，新增压印、抛光工艺研发，研发规模分别为22500次／年、35000次／年，其他研发工艺规模增加，膜层沉积、匀胶光刻、刻蚀、去胶研发工艺分别增加52500次／年、17500次／年、75000次／年、40000次／年 ，项目建成后总的研发规模为每年进行22500次压印，57000次膜层沉积，24900次匀胶光刻，79000次刻蚀，42000次去胶。项目包含对研发产品的检测，不涉及中试。一期项目设计使用8英寸晶圆2000片，二期项目设计使用8英寸晶圆17500片，4英寸晶圆5000片。二期项目除SC-1溶液清洗依托一期设备外，其余工艺均利用新增设备完成。

设计单位

上海建旗 (略)

计划开工日期

2023-03-06

环评项目登记号

／

环评批文文号

沪浦环保许评【2023】49号

环评批文日期

2023-02-27

联系人

罗发忠

联系电话

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*@*unnyoptical.com

实际开工日期

2023-03-06

实际开工日期

2023-03-06

施工期环保措施落实情况（pdf）

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开始调试日期

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联系人

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非重大调整报告（pdf）

环保措施落实情况（pdf）

公示起始日期

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