江门市冠鼎半导体有限公司第三代氮化镓功率半导体生产建设项目

内容
 
发送至邮箱

江门市冠鼎半导体有限公司第三代氮化镓功率半导体生产建设项目

备案项目编号:2309-*-04-01-*
项目名称:江门市冠鼎半导体有限公司第三代氮化镓功率半导体生产建设项目
项目所在地: (略) 新会区崖门镇江门大道南崖门段238号(6#厂房)首层
项目总投资:10550.0万元
项目规模及内容:项目总占地约2630平方米,建筑面积约2630平方米,将原物料氮化镓芯片利用固晶机透过银胶将其与引线框架进行结合,利用焊线机将金线和在适当位置后利用排片机将引线框架依序排列后利用模压机进行封合、产品裁切、表面进行激光印字,年产量15KK。
建设单位: (略) (略)
备案机关:新会区发展和改革局
备案申报日期:2023/10/19 08:47:19
复核通过日期:2023-10-20
项目起止年限:2023-10-01至2024-05-01
项目当前状态:办结(通过)

备案项目编号:2309-*-04-01-*
项目名称:江门市冠鼎半导体有限公司第三代氮化镓功率半导体生产建设项目
项目所在地: (略) 新会区崖门镇江门大道南崖门段238号(6#厂房)首层
项目总投资:10550.0万元
项目规模及内容:项目总占地约2630平方米,建筑面积约2630平方米,将原物料氮化镓芯片利用固晶机透过银胶将其与引线框架进行结合,利用焊线机将金线和在适当位置后利用排片机将引线框架依序排列后利用模压机进行封合、产品裁切、表面进行激光印字,年产量15KK。
建设单位: (略) (略)
备案机关:新会区发展和改革局
备案申报日期:2023/10/19 08:47:19
复核通过日期:2023-10-20
项目起止年限:2023-10-01至2024-05-01
项目当前状态:办结(通过)

    
查看详情》
相关推荐
 

招投标大数据

查看详情

收藏

首页

最近搜索

热门搜索