项目名称:高压SiC MOSFET工艺平台建设项目

单位名称: (略)

项目法人:杨柯

建设地点: (略) 高新区锦业路125号西安半导体产业园

申报单位经济类型:

项目所属行业:制造业-计算机、通信和其他电子设备制造业-电子器件制造-半导体分立器件制造

项目总投资:9200（万元）

建设性质:技改及其他

计划开工时间:*

审核状态:建设规模及内容:项目拟购置设备8台／套， 包含中束流高温离子注入机、 高温氧化炉、 高温退火炉等设备， 用于SiC芯片生产。 拟升级改造设备3台／套， 包Conceptone、 LAM9600等设备， 用于SiC产品自动精确对位和顺利传输需要。 拟开发重点工艺16项， 包含热氧生长、 PETEOS掩膜淀积等， 用于SiC芯片研制。建成后月产量可达500片

项目名称:高压SiC MOSFET工艺平台建设项目

单位名称: (略)

项目法人:杨柯

建设地点: (略) 高新区锦业路125号西安半导体产业园

申报单位经济类型:

项目所属行业:制造业-计算机、通信和其他电子设备制造业-电子器件制造-半导体分立器件制造

项目总投资:9200（万元）

建设性质:技改及其他

计划开工时间:*

审核状态:建设规模及内容:项目拟购置设备8台／套， 包含中束流高温离子注入机、 高温氧化炉、 高温退火炉等设备， 用于SiC芯片生产。 拟升级改造设备3台／套， 包Conceptone、 LAM9600等设备， 用于SiC产品自动精确对位和顺利传输需要。 拟开发重点工艺16项， 包含热氧生长、 PETEOS掩膜淀积等， 用于SiC芯片研制。建成后月产量可达500片