第三代半导体功率器件生产
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第三代半导体功率器件生产
工程名称 第三代半导体功率器件生产项目 建设地址 东湖新技术开发区高新七路以南，春光路以西 工程项目编号 *2 施工许可证电子证照编号 *101 项目分类 房屋建筑工程 项目属地 - 建设单位 长飞先进半导体（武汉）有限公司 建设单位代码 *MAC2Y2DD0C 建设单位项目负责人 李刚 项目负责人证件号码 点击查看>>点击查看>>*39 计划开工日期 2023-11-28 计划竣工日期 2025-06-30 合同价格 56000 总面积 *.93 合计地上面积 *.77 合计地下面积 23568.72 发证机关 武汉东湖新技术开发区政务服务和大数据管理局 发证机关代码 *MB1A* 签发日期 * 管理属地 - 建设规模 新建厂房、技术中心及其配套设施等总建筑面积约*平方米； 购置光刻机、高温离子注入机等设备共计约2100台套； 建设第三代半导体器件制造基地，年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延，年产6100万个功率器件模块； 年产值约*万元。 参加单位信息
| 承担角色 | 单位名称 | 企业统一社会信用代码 | 负责人姓名 | 项目负责人证件号码 |
|---|
| 勘察 | 中南 (略) | *97H | 胡励耘 | 点击查看>>点击查看>>*79 |
| 设计 | 信息产业电子第十 (略) (略) | *990 | 龚桂林 | 点击查看>>点击查看>>*35 |
| 施工 | 中建一局 (略) | *26A | 侯建民 | 点击查看>>点击查看>>*39 |
| 监理 | 浙江江南 (略) | *7XG | 钱争光 | 点击查看>>点击查看>>*92 |
单体项目信息
| 单体名称 | 单体参数 | 单体其他参数 |
|---|
| 112 *类库2 | 地上面积1086.89平方米 | 1086.89 |
| 110 宿舍3 | 地上面积12928.9平方米 | 12928.9 |
| 103 外延厂房 | 地上面积26801.98平方米 | 26801.98 |
| 115 资源回收库 | 地上面积725.4平方米 | 725.4 |
| 104 动力厂房1 | 地上面积43989.4平方米，地下面积6658.56平方米 | 43989.4 |
工程名称 第三代半导体功率器件生产项目 建设地址 东湖新技术开发区高新七路以南，春光路以西 工程项目编号 *2 施工许可证电子证照编号 *101 项目分类 房屋建筑工程 项目属地 - 建设单位 长飞先进半导体（武汉）有限公司 建设单位代码 *MAC2Y2DD0C 建设单位项目负责人 李刚 项目负责人证件号码 点击查看>>点击查看>>*39 计划开工日期 2023-11-28 计划竣工日期 2025-06-30 合同价格 56000 总面积 *.93 合计地上面积 *.77 合计地下面积 23568.72 发证机关 武汉东湖新技术开发区政务服务和大数据管理局 发证机关代码 *MB1A* 签发日期 * 管理属地 - 建设规模 新建厂房、技术中心及其配套设施等总建筑面积约*平方米； 购置光刻机、高温离子注入机等设备共计约2100台套； 建设第三代半导体器件制造基地，年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延，年产6100万个功率器件模块； 年产值约*万元。 参加单位信息
| 承担角色 | 单位名称 | 企业统一社会信用代码 | 负责人姓名 | 项目负责人证件号码 |
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| 勘察 | 中南 (略) | *97H | 胡励耘 | 点击查看>>点击查看>>*79 |
| 设计 | 信息产业电子第十 (略) (略) | *990 | 龚桂林 | 点击查看>>点击查看>>*35 |
| 施工 | 中建一局 (略) | *26A | 侯建民 | 点击查看>>点击查看>>*39 |
| 监理 | 浙江江南 (略) | *7XG | 钱争光 | 点击查看>>点击查看>>*92 |
单体项目信息
| 单体名称 | 单体参数 | 单体其他参数 |
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| 112 *类库2 | 地上面积1086.89平方米 | 1086.89 |
| 110 宿舍3 | 地上面积12928.9平方米 | 12928.9 |
| 103 外延厂房 | 地上面积26801.98平方米 | 26801.98 |
| 115 资源回收库 | 地上面积725.4平方米 | 725.4 |
| 104 动力厂房1 | 地上面积43989.4平方米，地下面积6658.56平方米 | 43989.4 |
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