根据环境保护部《关于印发＜建设项目环境影响评价政府信息公开指南（试行）＞的通知》(环办[2013]103号)和《关于印发＜建设项目环境影响评价信息公开机制方案＞的通知》（环发[2015]162号），我单位已委托厦门 (略) 编制完成《6-8英寸SiC外延晶片研发及产业化扩产项目（二期）环境影响报告表》，现向社会公开环境影响报告表全本（已删除涉及国家秘密、商业秘密、个人隐私以及涉及国家安全、公共安全、经济安全和社会稳定的内容）。

一、项目的基本情况概况：

（1）项目名称：6-8英寸SiC外延晶片研发及产业化扩产项目（二期）

（2）项目概况：瀚天天成电子科技（厦门） (略) 6-8英寸SiC外延晶片研发及产业化扩产项目（二期） (略) (略) 头路与舫阳路交叉口、孙厝村对面，主要从事电子专用材料制造，本项目主体工程M2厂房内建设81条碳化硅外延晶片生产线（配套尾气净化器）、1套纯水机组及其他生产设备，预计新增产能年产碳化硅外延晶片30万片。

二、建设单位名称和联系方式：

（1）建设单位名称：瀚天天成电子科技（厦门） (略)

（2）联系地址： (略) (略) 头路与舫阳路交叉口、孙厝村对面

（3）联系人：方春黎

三、评价单位

（1）评价单位名称：厦门 (略)

（2）联系地址：厦门火炬高新区创业园创业大厦413B室

（3）联系人：蔡先生

（4）联系电话：*

欢迎公众积极参与本项目的环境影响评价工作，特此公告！

根据环境保护部《关于印发＜建设项目环境影响评价政府信息公开指南（试行）＞的通知》(环办[2013]103号)和《关于印发＜建设项目环境影响评价信息公开机制方案＞的通知》（环发[2015]162号），我单位已委托厦门 (略) 编制完成《6-8英寸SiC外延晶片研发及产业化扩产项目（二期）环境影响报告表》，现向社会公开环境影响报告表全本（已删除涉及国家秘密、商业秘密、个人隐私以及涉及国家安全、公共安全、经济安全和社会稳定的内容）。

一、项目的基本情况概况：

（1）项目名称：6-8英寸SiC外延晶片研发及产业化扩产项目（二期）

（2）项目概况：瀚天天成电子科技（厦门） (略) 6-8英寸SiC外延晶片研发及产业化扩产项目（二期） (略) (略) 头路与舫阳路交叉口、孙厝村对面，主要从事电子专用材料制造，本项目主体工程M2厂房内建设81条碳化硅外延晶片生产线（配套尾气净化器）、1套纯水机组及其他生产设备，预计新增产能年产碳化硅外延晶片30万片。

二、建设单位名称和联系方式：

（1）建设单位名称：瀚天天成电子科技（厦门） (略)

（2）联系地址： (略) (略) 头路与舫阳路交叉口、孙厝村对面

（3）联系人：方春黎

三、评价单位

（1）评价单位名称：厦门 (略)

（2）联系地址：厦门火炬高新区创业园创业大厦413B室

（3）联系人：蔡先生

（4）联系电话：*

欢迎公众积极参与本项目的环境影响评价工作，特此公告！