序号

建设单位

项目名称

建设地点

环评机构

环评类别

建设内容

1

(略)

安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目

重庆高新区西永街道

(略)

环评报告表（常规审批）

项目位于西永微电子产业园西永组团N分区N7-1/04地块（部分）、N1-7-1/05地块（部分），总占地约*m²，总建筑面积约*m²，主要建设碳化硅芯片厂房以及动力厂房、空分站、制氢站、化学品贮存仓库、废水处理站、宿舍楼等公辅设施。项目建构筑物一次建成，产线及其配套分两期实施，一期最终实现年产8英寸芯片26万片，二期最终实现年产芯片26万片，最终全厂达到产能8英寸芯片52万片/年。项目总投资约*.16万元，其中环保投资约*万元，占总投资的5%。

序号

建设单位

项目名称

建设地点

环评机构

环评类别

建设内容

1

(略)

安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目

重庆高新区西永街道

(略)

环评报告表（常规审批）

项目位于西永微电子产业园西永组团N分区N7-1/04地块（部分）、N1-7-1/05地块（部分），总占地约*m²，总建筑面积约*m²，主要建设碳化硅芯片厂房以及动力厂房、空分站、制氢站、化学品贮存仓库、废水处理站、宿舍楼等公辅设施。项目建构筑物一次建成，产线及其配套分两期实施，一期最终实现年产8英寸芯片26万片，二期最终实现年产芯片26万片，最终全厂达到产能8英寸芯片52万片/年。项目总投资约*.16万元，其中环保投资约*万元，占总投资的5%。