项目名称

(略) 半导体用碳化硅/化学气相沉积碳化硅制品项目

建设地点

(略) 渌口区经济开发区西创智能制造产业园内(中心经纬度：（113.*°E，27.*°N)

建设单位

(略)

环境影响评价机构

湖南 (略)

项目概况

本项目租赁西创智能制造产业园内12栋厂房，用于生产半导体用碳化硅制品项目，总占地面积为2700m²，建筑面积3300m²，建设6个CVD化学气相沉积炉和3个纯化炉，安装1台1600KVA变压器。主要生产工艺为纯化、清洗、化学气相沉积、成品检测、包装等。项目建成后，实现年产6000套半导体用碳化硅制品的生产规模。

主要环境影响及预防或者减轻不良环境影响的对策和措施

废水污染防治：做好雨污分流、污污分流工作。纯化废气碱喷淋废水、冷凝用水循环利用，不外排。CVD沉积废气碱喷淋废水经调节pH值后外排；车间地面清洁废水和生活污水经化粪池处理后外排；超声清洗废水经过滤后外排；外排废水执行《电子工业水污染物排放标准》（GB39731-2020）表1中电子专用材料水污染物间接排放限值， (略) 政污水管网进入南洲污水处理厂深度处理。

固体污染防治：按要求建设规范化危废暂存间，产生的危险废物（废润滑油、废油桶等）须按照《危险废物贮存污染控制标准》（GB18597-2023）要求暂存，实行分级分类管理，并落实“四专”管理措施(专门危废暂存间，专门识别标志，建立专业档案，实行专人负责)、制度上墙、信息联网；严格执行危险废物转移联单制度，交有资质单位处置。一般固体废物按照《一般工业固体废物贮存和填埋污染控制标准》（GB18599-2020）要求管理。

噪声污染防治：合理布局，选用低噪声设备，基础减震、厂房隔声等。

废气污染防治：石墨纯化废气经冷凝+两级碱洗塔处理后，由15m高排气筒（DA001）排放；机加工产生的粉尘经设备自带布袋除尘器处理后车间内排放；碳化硅涂层（CVD沉积）废气经收集后采用碱喷淋塔处理后，由15m高排气筒（DA002）排放；打磨抛光粉尘收集后经布袋除尘器处理后车间内排放。废气排放执行《大气污染物综合排放标准》GB16297-1996中的二级标准及无组织排放监控浓度限值，其中排放速率按50%执行。

公众参与情况

根据生态环境部《环境影响评价公众参与办法》（生态环境部令第4号）规定执行。

项目名称

(略) 半导体用碳化硅/化学气相沉积碳化硅制品项目

建设地点

(略) 渌口区经济开发区西创智能制造产业园内(中心经纬度：（113.*°E，27.*°N)

建设单位

(略)

环境影响评价机构

湖南 (略)

项目概况

本项目租赁西创智能制造产业园内12栋厂房，用于生产半导体用碳化硅制品项目，总占地面积为2700m²，建筑面积3300m²，建设6个CVD化学气相沉积炉和3个纯化炉，安装1台1600KVA变压器。主要生产工艺为纯化、清洗、化学气相沉积、成品检测、包装等。项目建成后，实现年产6000套半导体用碳化硅制品的生产规模。

主要环境影响及预防或者减轻不良环境影响的对策和措施

废水污染防治：做好雨污分流、污污分流工作。纯化废气碱喷淋废水、冷凝用水循环利用，不外排。CVD沉积废气碱喷淋废水经调节pH值后外排；车间地面清洁废水和生活污水经化粪池处理后外排；超声清洗废水经过滤后外排；外排废水执行《电子工业水污染物排放标准》（GB39731-2020）表1中电子专用材料水污染物间接排放限值， (略) 政污水管网进入南洲污水处理厂深度处理。

固体污染防治：按要求建设规范化危废暂存间，产生的危险废物（废润滑油、废油桶等）须按照《危险废物贮存污染控制标准》（GB18597-2023）要求暂存，实行分级分类管理，并落实“四专”管理措施(专门危废暂存间，专门识别标志，建立专业档案，实行专人负责)、制度上墙、信息联网；严格执行危险废物转移联单制度，交有资质单位处置。一般固体废物按照《一般工业固体废物贮存和填埋污染控制标准》（GB18599-2020）要求管理。

噪声污染防治：合理布局，选用低噪声设备，基础减震、厂房隔声等。

废气污染防治：石墨纯化废气经冷凝+两级碱洗塔处理后，由15m高排气筒（DA001）排放；机加工产生的粉尘经设备自带布袋除尘器处理后车间内排放；碳化硅涂层（CVD沉积）废气经收集后采用碱喷淋塔处理后，由15m高排气筒（DA002）排放；打磨抛光粉尘收集后经布袋除尘器处理后车间内排放。废气排放执行《大气污染物综合排放标准》GB16297-1996中的二级标准及无组织排放监控浓度限值，其中排放速率按50%执行。

公众参与情况

根据生态环境部《环境影响评价公众参与办法》（生态环境部令第4号）规定执行。