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宽禁带半导体国家工程研究中心二期能力提升项目

(略) 高新区西沣路兴隆段266号西安电子科技大学南校区国家工程研究中心实验大楼

西安电子科技大学

陕西 (略)

项目位于西沣路兴隆段266号西安电子科技大学南校区国家工程研究中心实验大楼内一层，占地面积2250m2，依托分摊现有国家工程研究中心实验室一楼洁净实验室，新增本项目所需部分设备，包含砷化镓工艺研发的光刻、腐蚀、去胶、沉积、刻蚀、溅射、键合、抛光、蒸发、测量等试验设备，用于砷化镓工艺实验研发。项目总投资6000万元，环保投资30万元。

（1）废气：产生的有机废气经过活性炭吸附后由26m排气筒排放（P2）；产生的酸性废气通过NaOH吸收塔处理达标后由26m排气筒排放（P1）；产生的碱性废气先经过室内尾气处理器（加热+喷淋）处理后，再引至盐酸溶液喷淋塔处理后由26m排气筒排放（P1）；

（2）废水：产生的废水经管道排入废水储存罐里储存，定期交资质单位清运处置；

（3）噪声：选择低噪设备，并设置基础减振，同时将所有设备置于室内；

（4）固废：废靶材一般工业固废，经收集暂存于实验室1F北侧的固废暂存间，后交由废品回收机构回收；废显影液，废有机溶剂，废酸溶液，含砷废液（废刻蚀液），划片、研磨废液等经管路排至废液收集柜，定期交资质单位清运处置；废试剂瓶、废气处理产生的废活性炭由厂家定期更换回收；废试剂瓶和检修废物暂存于学校危废中转站，定期交资质单位清运处置。

报告表类项目，未开展公众调查意见。

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宽禁带半导体国家工程研究中心二期能力提升项目

(略) 高新区西沣路兴隆段266号西安电子科技大学南校区国家工程研究中心实验大楼

西安电子科技大学

陕西 (略)

项目位于西沣路兴隆段266号西安电子科技大学南校区国家工程研究中心实验大楼内一层，占地面积2250m2，依托分摊现有国家工程研究中心实验室一楼洁净实验室，新增本项目所需部分设备，包含砷化镓工艺研发的光刻、腐蚀、去胶、沉积、刻蚀、溅射、键合、抛光、蒸发、测量等试验设备，用于砷化镓工艺实验研发。项目总投资6000万元，环保投资30万元。

（1）废气：产生的有机废气经过活性炭吸附后由26m排气筒排放（P2）；产生的酸性废气通过NaOH吸收塔处理达标后由26m排气筒排放（P1）；产生的碱性废气先经过室内尾气处理器（加热+喷淋）处理后，再引至盐酸溶液喷淋塔处理后由26m排气筒排放（P1）；

（2）废水：产生的废水经管道排入废水储存罐里储存，定期交资质单位清运处置；

（3）噪声：选择低噪设备，并设置基础减振，同时将所有设备置于室内；

（4）固废：废靶材一般工业固废，经收集暂存于实验室1F北侧的固废暂存间，后交由废品回收机构回收；废显影液，废有机溶剂，废酸溶液，含砷废液（废刻蚀液），划片、研磨废液等经管路排至废液收集柜，定期交资质单位清运处置；废试剂瓶、废气处理产生的废活性炭由厂家定期更换回收；废试剂瓶和检修废物暂存于学校危废中转站，定期交资质单位清运处置。

报告表类项目，未开展公众调查意见。