安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目新增X射线荧光分析仪、离子注入机设备重庆市直辖市高新区重庆市高新区西永街道西永组团N分区N7-1/04部分2、N7-1/05部分2地块
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安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目新增X射线荧光分析仪、离子注入机设备重庆市直辖市高新区重庆市高新区西永街道西永组团N分区N7-1/04部分2、N7-1/05部分2地块
填表日期：2024-02-02
| 安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目（新增X射线荧光分析仪、离子注入机设备） | |||
| (略) (略) 高新区西永街道西永组团N分区N7-1/04(部分2)、N7-1/05(部分2)地块 | 1000 | ||
| (略) | 张洁 | ||
| 2000 | 10 | ||
| 2026-02-02 | |||
| 新建 | |||
| 安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目新增X射线荧光分析仪2台，离子注入机36台，具体如下： 1、新增X射线荧光分析仪1台，位于芯片厂3楼，40kV-80mA，主要用于分析硅片样品镀膜厚度。 2、新增全反射X射线荧光分析仪1台，位于芯片厂3楼，35kV-255mA，主要用于分析硅片样品镀表面的金属元素。 3、新增中束流离子注入机18台，位于芯片厂3楼离子注入区，最大能量335KV，最大管电流5mA，主要用于注入磷、硼、铝离子。 4、新增大束流离子注入机18台，位于芯片厂3楼离子注入区，最大能量200KV，最大管电流25mA，主要用于注入磷、硼、铝离子。 工作制度同主体工程。 | |||
填表日期：2024-02-02
| 安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目（新增X射线荧光分析仪、离子注入机设备） | |||
| (略) (略) 高新区西永街道西永组团N分区N7-1/04(部分2)、N7-1/05(部分2)地块 | 1000 | ||
| (略) | 张洁 | ||
| 2000 | 10 | ||
| 2026-02-02 | |||
| 新建 | |||
| 安意法半导体8英寸碳化硅外延、芯片项目新增X射线荧光分析仪2台，离子注入机36台，具体如下： 1、新增X射线荧光分析仪1台，位于芯片厂3楼，40kV-80mA，主要用于分析硅片样品镀膜厚度。 2、新增全反射X射线荧光分析仪1台，位于芯片厂3楼，35kV-255mA，主要用于分析硅片样品镀表面的金属元素。 3、新增中束流离子注入机18台，位于芯片厂3楼离子注入区，最大能量335KV，最大管电流5mA，主要用于注入磷、硼、铝离子。 4、新增大束流离子注入机18台，位于芯片厂3楼离子注入区，最大能量200KV，最大管电流25mA，主要用于注入磷、硼、铝离子。 工作制度同主体工程。 | |||
| 环保措施: 射线部件均配备有铅密封空间，以及紧急停车装置 | |||
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