重庆高新区生态环境局关于批准建设项目环评信息的公告表2024年第1号
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重庆高新区生态环境局关于批准建设项目环评信息的公告表2024年第1号
重庆高新区生态环境局关于批准建设项目环评信息的公告表（2024年第1号）
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重庆高新区生态环境局已经审批以下建设项目，现公告有关办理结果，接受社会监督。反馈意见受理时间为2024年2月7日至2024年2月19日（共5个工作日）。反馈意见受理方式为电子邮箱：*@*63.com，传真：*。通讯地址：重庆高新区高新大道6号，邮编：*。
依据《中华人民共和国行政复议法》和《中华人民共和国行政诉讼法》，公民、法人或者其他组织认为公告的建设项目环境影响评价文件审批决定侵犯其合法权益的，可以自公告期限届满之日起六十日内提起行政复议，也可以自公告期限届满之日起六个月内提起行政诉讼。
| 序号 | 建设单位 | 项目名称 | 建设地点 | 环评机构 | 环评类别 | 建设内容 |
| 1 | 重庆三 (略) | 重庆三安半导体碳化硅衬底项目 | 重庆高新区西永街道 | (略) | 环境影响报告书 | 项目位于重庆高新区西永街道西永组团N分区N7-1/04（部分1）、N1-7-1/05（部分1）地块，总占地约*.8m2，总建筑面积约*.77m2，分两阶段实施，建设内容包含碳化硅长晶衬底厂房以及控制中心、动力站、气瓶库、化学品库、危废品库、废水处理站等配套设施，布设衬底生产线2条。项目一阶段主要建设碳化硅长晶衬底厂房1、控制中心、宿舍楼、动力站、气瓶库、化学品库、危废品库等，达产后可实现年产8英寸导电衬底26万片；二阶段建设碳化硅长晶衬底厂房2，部分配套设施在一阶段的基础上扩建，达产后可实现年产8英寸导电衬底26万片；全厂最终达产后年产8英寸导电衬底52万片。本项目总投资*.91万元，其中环保投资10580万元，占总投资1.51%。 |
附件：重庆三 (略) 重庆三安半导体碳化硅衬底项目环境影响评价文件批准书
重庆高新区生态环境局
2024年2月7日
重庆高新区生态环境局关于批准建设项目环评信息的公告表（2024年第1号）
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依据《中华人民共和国行政复议法》和《中华人民共和国行政诉讼法》，公民、法人或者其他组织认为公告的建设项目环境影响评价文件审批决定侵犯其合法权益的，可以自公告期限届满之日起六十日内提起行政复议，也可以自公告期限届满之日起六个月内提起行政诉讼。
| 序号 | 建设单位 | 项目名称 | 建设地点 | 环评机构 | 环评类别 | 建设内容 |
| 1 | 重庆三 (略) | 重庆三安半导体碳化硅衬底项目 | 重庆高新区西永街道 | (略) | 环境影响报告书 | 项目位于重庆高新区西永街道西永组团N分区N7-1/04（部分1）、N1-7-1/05（部分1）地块，总占地约*.8m2，总建筑面积约*.77m2，分两阶段实施，建设内容包含碳化硅长晶衬底厂房以及控制中心、动力站、气瓶库、化学品库、危废品库、废水处理站等配套设施，布设衬底生产线2条。项目一阶段主要建设碳化硅长晶衬底厂房1、控制中心、宿舍楼、动力站、气瓶库、化学品库、危废品库等，达产后可实现年产8英寸导电衬底26万片；二阶段建设碳化硅长晶衬底厂房2，部分配套设施在一阶段的基础上扩建，达产后可实现年产8英寸导电衬底26万片；全厂最终达产后年产8英寸导电衬底52万片。本项目总投资*.91万元，其中环保投资10580万元，占总投资1.51%。 |
附件：重庆三 (略) 重庆三安半导体碳化硅衬底项目环境影响评价文件批准书
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