项目编号:2402-*-07-02-*
项目名称:中微半导体南昌高新区MO研发红黄光改扩建项目
建设项目所属区域: (略) , (略) ,青山湖区
建设规模及内容:为探究GaAs基新材料在腔体中的生长机理，研发国产的GaAs基MOCVD设备，其性能达到国际先进水平，巩固中微MOC (略) 场地位， (略) 在这一领域的垄断地位，拟投资MO研发红黄光项目5960万元，改扩建400平洁净区并购买 MOCVD机台3台，Unico机台1台、真空包装机2台、通风柜1台、氮气柜3台、scrubber机台4台、烘箱1台，清洗柜2台、吸附塔2套。|&|&|本项目为探究出GaAs基新材料在腔体中的生长机理，研发成功后有利于填补国内该领域内的技术空白，实现量产， (略) 的产品结构。
项目总投资(万元):5960

项目编号:2402-*-07-02-*
项目名称:中微半导体南昌高新区MO研发红黄光改扩建项目
建设项目所属区域: (略) , (略) ,青山湖区
建设规模及内容:为探究GaAs基新材料在腔体中的生长机理，研发国产的GaAs基MOCVD设备，其性能达到国际先进水平，巩固中微MOC (略) 场地位， (略) 在这一领域的垄断地位，拟投资MO研发红黄光项目5960万元，改扩建400平洁净区并购买 MOCVD机台3台，Unico机台1台、真空包装机2台、通风柜1台、氮气柜3台、scrubber机台4台、烘箱1台，清洗柜2台、吸附塔2套。|&|&|本项目为探究出GaAs基新材料在腔体中的生长机理，研发成功后有利于填补国内该领域内的技术空白，实现量产， (略) 的产品结构。
项目总投资(万元):5960