中微半导体南昌高新区MO研发红黄光改扩建项目-备案信息公示
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中微半导体南昌高新区MO研发红黄光改扩建项目-备案信息公示
| 项目编号 | 2402-*-07-02-* |
|---|---|
| 项目名称 | 中微半导体南昌高新区MO研发红黄光改扩建项目 |
| 建设项目所属区域 | 高新开发区 |
| 建设地点详情 | (略) , (略) ,青山湖区 |
| 详细地址 | (略) 高新区光电路699号 |
| 项目总投资 | 5960万元 |
| 建设规模及内容 | 为探究GaAs基新材料在腔体中的生长机理，研发国产的GaAs基MOCVD设备，其性能达到国际先进水平，巩固中微MOC (略) 场地位， (略) 在这一领域的垄断地位，拟投资MO研发红黄光项目5960万元，改扩建400平洁净区并购买 MOCVD机台3台，Unico机台1台、真空包装机2台、通风柜1台、氮气柜3台、scrubber机台4台、烘箱1台，清洗柜2台、吸附塔2套。|&|&|本项目为探究出GaAs基新材料在腔体中的生长机理，研发成功后有利于填补国内该领域内的技术空白，实现量产， (略) 的产品结构。 |
| 建设单位 | 南昌中 (略) |
| 开工时间 | 2024年03月 |
| 竣工时间 | 2024年07月 |
| 项目类型 | 备案类 |
| 备案状态 | 已备案 |
| 项目编号 | 2402-*-07-02-* |
|---|---|
| 项目名称 | 中微半导体南昌高新区MO研发红黄光改扩建项目 |
| 建设项目所属区域 | 高新开发区 |
| 建设地点详情 | (略) , (略) ,青山湖区 |
| 详细地址 | (略) 高新区光电路699号 |
| 项目总投资 | 5960万元 |
| 建设规模及内容 | 为探究GaAs基新材料在腔体中的生长机理，研发国产的GaAs基MOCVD设备，其性能达到国际先进水平，巩固中微MOC (略) 场地位， (略) 在这一领域的垄断地位，拟投资MO研发红黄光项目5960万元，改扩建400平洁净区并购买 MOCVD机台3台，Unico机台1台、真空包装机2台、通风柜1台、氮气柜3台、scrubber机台4台、烘箱1台，清洗柜2台、吸附塔2套。|&|&|本项目为探究出GaAs基新材料在腔体中的生长机理，研发成功后有利于填补国内该领域内的技术空白，实现量产， (略) 的产品结构。 |
| 建设单位 | 南昌中 (略) |
| 开工时间 | 2024年03月 |
| 竣工时间 | 2024年07月 |
| 项目类型 | 备案类 |
| 备案状态 | 已备案 |
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