高容值密度深沟槽电容制造工艺技术研发项目
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高容值密度深沟槽电容制造工艺技术研发项目
| 项目名称 | 高容值密度深沟槽电容制造工艺技术研发项目 | ||
| 建设内容及规模 | 本项目利用深沟槽光刻、刻蚀，高介电常数介质沉积和多层重布线一系列工艺技术，打造更高电容密度，更低漏电流，更高击穿电压和不同频率和电压下更稳定电容值的高容值密度深沟槽电容产品，推进国内深沟槽电容芯片自主芯片产业化，新增研发和生产设备约14台/套，形成1000片/月的12英寸晶圆产能。 | ||
| 项目代码 | 2402-*-04-02-* | 项目单位 | 武汉新芯 (略) |
| 法人代表姓名 | YANG SIMON SHI-NING | 项目单位性质 | 其他 |
| 所属行政区划 | 项目所属行业 | 工业/电子 | |
| 总投资 | 39163 | 建设性质 | 技改及其他 |
| 拟开工时间 | 2024-02 | 备案证状态 | 有效 |
| 申报日期 | 2024-02-22 13:40:11 |
| 项目名称 | 高容值密度深沟槽电容制造工艺技术研发项目 | ||
| 建设内容及规模 | 本项目利用深沟槽光刻、刻蚀，高介电常数介质沉积和多层重布线一系列工艺技术，打造更高电容密度，更低漏电流，更高击穿电压和不同频率和电压下更稳定电容值的高容值密度深沟槽电容产品，推进国内深沟槽电容芯片自主芯片产业化，新增研发和生产设备约14台/套，形成1000片/月的12英寸晶圆产能。 | ||
| 项目代码 | 2402-*-04-02-* | 项目单位 | 武汉新芯 (略) |
| 法人代表姓名 | YANG SIMON SHI-NING | 项目单位性质 | 其他 |
| 所属行政区划 | 项目所属行业 | 工业/电子 | |
| 总投资 | 39163 | 建设性质 | 技改及其他 |
| 拟开工时间 | 2024-02 | 备案证状态 | 有效 |
| 申报日期 | 2024-02-22 13:40:11 |
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