序号

项目名称

建设地点

建设单位

项目概况

公众参与情况

相关环保措施承诺

主要环境影响及预防或者减轻不良环境影响的对策和措施

1

半导体分立器件制造项目目

萧山经济技术开发区桥南区块，东 (略) ， (略) ，西至大江半导体地块， (略)

杭 (略)

杭 (略) 投资*万元，在萧山经济技术开发区桥南区块征地150.07亩，建设2幢厂房，2幢办公楼等其他辅助建筑物，共计建筑面积*.62m2。采用国内先进技术，购置生产设施，从事SiC功率器件的生产。项目产值可达48.5亿元，利税1.8亿元。

本项目环境影响报告表全本已在 (略) 站进行了公开，公开期间未收到群众反对意见。

建设单位承诺，将按照环评提出的相关要求实施项目建设，确保落实各项污染防治和生态保护措施。

1、大气污染防治措施：.①晶体加工及外延车间产生的酸碱废气经碱液喷淋塔处理+20m排气筒DA001排放。②芯片车间产生的酸碱废气经密闭管道直连收集合并后再分散出去由6套(设计7套，其中1套备用)碱液喷淋塔处理+25m排气筒DA002~DA007排放。

③芯片车间的有机废气经二级活性炭吸附+25m排气筒DA008排放；④芯片车间有机溶剂供液间的有机废气通过通风柜负压抽至二级活性炭吸附+25m排气筒DA009排放，有机废液回收间整体负压抽风至二级活性炭吸附+25m排气筒DA009排放；⑤污水处理站含氨废水处理池的吹脱氨气经稀硫酸喷淋后15m排气筒DA010排放；⑥锅炉房设1根15m排气筒DA010；⑦食堂油烟经一体化油烟机处理后屋顶专用烟道DA011排放。

2、水污染防治措施：厂区内生产废水经污水处理站处理后与预处理后的生活污水一并达《电子工业水污染物排放标准》(*)表1中半导体器件的间接排放标准 (略) (略) 。

3、噪声污染防治措施：设备经隔声减振。

4、固体废物污染防治措施：一般工 (略) 综合利用；危险废物定期由有资质单位进行处置； (略) 定期清运。

序号

项目名称

建设地点

建设单位

项目概况

公众参与情况

相关环保措施承诺

主要环境影响及预防或者减轻不良环境影响的对策和措施

1

半导体分立器件制造项目目

萧山经济技术开发区桥南区块，东 (略) ， (略) ，西至大江半导体地块， (略)

杭 (略)

杭 (略) 投资*万元，在萧山经济技术开发区桥南区块征地150.07亩，建设2幢厂房，2幢办公楼等其他辅助建筑物，共计建筑面积*.62m2。采用国内先进技术，购置生产设施，从事SiC功率器件的生产。项目产值可达48.5亿元，利税1.8亿元。

本项目环境影响报告表全本已在 (略) 站进行了公开，公开期间未收到群众反对意见。

建设单位承诺，将按照环评提出的相关要求实施项目建设，确保落实各项污染防治和生态保护措施。

1、大气污染防治措施：.①晶体加工及外延车间产生的酸碱废气经碱液喷淋塔处理+20m排气筒DA001排放。②芯片车间产生的酸碱废气经密闭管道直连收集合并后再分散出去由6套(设计7套，其中1套备用)碱液喷淋塔处理+25m排气筒DA002~DA007排放。

③芯片车间的有机废气经二级活性炭吸附+25m排气筒DA008排放；④芯片车间有机溶剂供液间的有机废气通过通风柜负压抽至二级活性炭吸附+25m排气筒DA009排放，有机废液回收间整体负压抽风至二级活性炭吸附+25m排气筒DA009排放；⑤污水处理站含氨废水处理池的吹脱氨气经稀硫酸喷淋后15m排气筒DA010排放；⑥锅炉房设1根15m排气筒DA010；⑦食堂油烟经一体化油烟机处理后屋顶专用烟道DA011排放。

2、水污染防治措施：厂区内生产废水经污水处理站处理后与预处理后的生活污水一并达《电子工业水污染物排放标准》(*)表1中半导体器件的间接排放标准 (略) (略) 。

3、噪声污染防治措施：设备经隔声减振。

4、固体废物污染防治措施：一般工 (略) 综合利用；危险废物定期由有资质单位进行处置； (略) 定期清运。