建设地点：南通高新技术产业开 (略) 126号；

建设单位：江苏优众微 (略) ；

环评机构：南京源 (略) ；

项目概况：江苏优众微 (略) 拟购买南通半导体光电产业园北区N9号厂房，并租赁产业园区各类*类库、*类库等，建设微纳光学元器件生产项目。VCSEL芯片生产工艺：GaN衬底-光刻胶涂布-曝光-检查-显影-酸洗-蒸镀（Au、Ti、Pt）-金属剥离-台面蚀刻-去胶-湿法氧化-钝化-金属溅射-电镀金-切割道-ALD镀膜-减薄划裂（委外）-电性测试（委外）。光栅片生产工艺：基片-来料检查-碱洗-原片检验-镀膜-碱洗-检验-匀胶、压印-脱模-检验-ICP刻蚀-酸洗-检验-包装。项目建成后形成年产*颗VCSEL和年加工*片光栅片的产能。项目总投资*万元，其中环保投资*元，环保投资占比0.75%。本项目劳动定员200人，年生产300天，三班制，每班8小时，全年工作7200小时。主要环境影响及预防或者减轻不良环境影响的对策和措施如下：

（1）水污染防治。厂区实行“清污分流、雨污分流”的排水体制。初期雨水经光电产业 (略) (略) (略) ，最终进入南通 (略) ，后期雨水经产业园 (略) 收集后排入新江海河；生活污水经化粪池预处理后接管通州 (略) ，尾水排入通*河，最终汇入新江海河；显影废水、金属剥离废水、超声去胶废水经芬顿氧化预处理，酸腐蚀清洗废水、碱洗废水、酸洗废水、零部件清洗废水、废气处理废水经中和预处理，合并进入综合废水处理系统（工艺：混凝沉淀+气浮），处理后与纯水制备浓水、间接冷却系统排水一并接管南通 (略) ，尾水排入金乐二号横河，最终汇入新江海河。生活污水排放口执 (略) 接管标准，生产废水排放口中pH、COD、SS、氨氮、总氮、总磷执行南通 (略) 接管标准，氟化物参照执行《地表水环境质量标准》(*)中IV类标准，总铝参照执行《电镀污染物排放标准》(*)表3标准限值，LAS、TOC执行《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表1间接排放标准限值。

（2）大气污染防治。光刻胶涂布废气及显影废气由管道收集，金属剥离废气及去胶废气由集气罩收集，匀胶压印废气由通风橱负压收集，合并经二级活性炭吸附装置处理后通过29米高DA001排气筒排放；台面刻蚀废气及ICP刻蚀废气由管道收集，刻蚀酸洗废气、返工酸洗废气及显影后清洗废气由顶部吸风罩收集，合并经车间内湿式水洗装置预处理后进入一级碱喷淋装置，处理后通过29米高DA002排气筒排放；湿法氧化废气、ALD镀膜废气、光栅片镀膜废气由管道收集，经各自配套的燃烧筒预处理后，再与由顶部吸风罩收集的金属溅射废气、碱洗废气合并经车间内湿式水洗装置+一级水喷淋装置处理后通过29米高DA003排气筒排放；污水处理站废气、*醇擦拭废气与上述未收集部分均无组织排放。有组织排放的氯化氢、硫酸雾、非*烷总烃、异*醇、氯气、氟化物、氨、氮氧化物、颗粒物执行《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表3标准限值，碱雾参 (略) 地标《大气污染物综合排放标准》(DB31/933-2015)表1标准限值，一氧化碳执行《大气污染物综合排放标准》(DB32/4041-2021)表1标准限值。厂界无组织排放的非*烷总烃、氯化氢、硫酸雾、氨执行《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表4标准限值，硫化氢、臭气浓度执行《恶臭污染物排放标准》(*)表1标准限值，氟化物、一氧化碳及厂区内无组织排放的非*烷总烃执行《大气污染物综合排放标准》(DB32/4041-2021)表2、表3标准限值。

（3）噪声污染防治噪声源包括各类生产设备、冷却塔、空压机和风机等，通过选用低噪音设备、合理布局、隔声减振等措施，厂界噪声满足《工业企业厂界环境噪声排放标准》(*)3类标准。

（4）固体废物污染防治。一般工业固废：纯水制备产生的废滤膜、废滤碳、不合格品收集后交由专业单位处理；普通废包装材料、废载板收集后外售。危险废物：*酮废液、废NMP清洗液、异*醇废液、碘化钾更换废液、氨水更换废液、废电镀槽液、废酸液、废活性炭、车间净化产生的废分子筛和废滤芯、污水处理站产生的污泥、废包装桶/瓶、沾染*醇的废抹布收集后委托有资质单位处置。生活垃圾由环卫部门清运。

公示时间：2024年4月25日~2024年5月6日（5个工作日）

公众反馈意见联系方式：

联系电话：0513-*

联系地址：南通高新区行政审批局项目投资科（通州区政务服务中心三楼高新区服务大厅）

电子邮件：*@*q.com

联系人：顾晨

邮编：*

听证告知：依据《中华人民共和国行政许可法》，自公告起五日内申请人、利害关系人可对上述拟作出建设项目环境影响评价文件批复决定要求听证。

建设地点：南通高新技术产业开 (略) 126号；

建设单位：江苏优众微 (略) ；

环评机构：南京源 (略) ；

项目概况：江苏优众微 (略) 拟购买南通半导体光电产业园北区N9号厂房，并租赁产业园区各类*类库、*类库等，建设微纳光学元器件生产项目。VCSEL芯片生产工艺：GaN衬底-光刻胶涂布-曝光-检查-显影-酸洗-蒸镀（Au、Ti、Pt）-金属剥离-台面蚀刻-去胶-湿法氧化-钝化-金属溅射-电镀金-切割道-ALD镀膜-减薄划裂（委外）-电性测试（委外）。光栅片生产工艺：基片-来料检查-碱洗-原片检验-镀膜-碱洗-检验-匀胶、压印-脱模-检验-ICP刻蚀-酸洗-检验-包装。项目建成后形成年产*颗VCSEL和年加工*片光栅片的产能。项目总投资*万元，其中环保投资*元，环保投资占比0.75%。本项目劳动定员200人，年生产300天，三班制，每班8小时，全年工作7200小时。主要环境影响及预防或者减轻不良环境影响的对策和措施如下：

（1）水污染防治。厂区实行“清污分流、雨污分流”的排水体制。初期雨水经光电产业 (略) (略) (略) ，最终进入南通 (略) ，后期雨水经产业园 (略) 收集后排入新江海河；生活污水经化粪池预处理后接管通州 (略) ，尾水排入通*河，最终汇入新江海河；显影废水、金属剥离废水、超声去胶废水经芬顿氧化预处理，酸腐蚀清洗废水、碱洗废水、酸洗废水、零部件清洗废水、废气处理废水经中和预处理，合并进入综合废水处理系统（工艺：混凝沉淀+气浮），处理后与纯水制备浓水、间接冷却系统排水一并接管南通 (略) ，尾水排入金乐二号横河，最终汇入新江海河。生活污水排放口执 (略) 接管标准，生产废水排放口中pH、COD、SS、氨氮、总氮、总磷执行南通 (略) 接管标准，氟化物参照执行《地表水环境质量标准》(*)中IV类标准，总铝参照执行《电镀污染物排放标准》(*)表3标准限值，LAS、TOC执行《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表1间接排放标准限值。

（2）大气污染防治。光刻胶涂布废气及显影废气由管道收集，金属剥离废气及去胶废气由集气罩收集，匀胶压印废气由通风橱负压收集，合并经二级活性炭吸附装置处理后通过29米高DA001排气筒排放；台面刻蚀废气及ICP刻蚀废气由管道收集，刻蚀酸洗废气、返工酸洗废气及显影后清洗废气由顶部吸风罩收集，合并经车间内湿式水洗装置预处理后进入一级碱喷淋装置，处理后通过29米高DA002排气筒排放；湿法氧化废气、ALD镀膜废气、光栅片镀膜废气由管道收集，经各自配套的燃烧筒预处理后，再与由顶部吸风罩收集的金属溅射废气、碱洗废气合并经车间内湿式水洗装置+一级水喷淋装置处理后通过29米高DA003排气筒排放；污水处理站废气、*醇擦拭废气与上述未收集部分均无组织排放。有组织排放的氯化氢、硫酸雾、非*烷总烃、异*醇、氯气、氟化物、氨、氮氧化物、颗粒物执行《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表3标准限值，碱雾参 (略) 地标《大气污染物综合排放标准》(DB31/933-2015)表1标准限值，一氧化碳执行《大气污染物综合排放标准》(DB32/4041-2021)表1标准限值。厂界无组织排放的非*烷总烃、氯化氢、硫酸雾、氨执行《半导体行业污染物排放标准》(DB32/3747-2020)表4标准限值，硫化氢、臭气浓度执行《恶臭污染物排放标准》(*)表1标准限值，氟化物、一氧化碳及厂区内无组织排放的非*烷总烃执行《大气污染物综合排放标准》(DB32/4041-2021)表2、表3标准限值。

（3）噪声污染防治噪声源包括各类生产设备、冷却塔、空压机和风机等，通过选用低噪音设备、合理布局、隔声减振等措施，厂界噪声满足《工业企业厂界环境噪声排放标准》(*)3类标准。

（4）固体废物污染防治。一般工业固废：纯水制备产生的废滤膜、废滤碳、不合格品收集后交由专业单位处理；普通废包装材料、废载板收集后外售。危险废物：*酮废液、废NMP清洗液、异*醇废液、碘化钾更换废液、氨水更换废液、废电镀槽液、废酸液、废活性炭、车间净化产生的废分子筛和废滤芯、污水处理站产生的污泥、废包装桶/瓶、沾染*醇的废抹布收集后委托有资质单位处置。生活垃圾由环卫部门清运。

公示时间：2024年4月25日~2024年5月6日（5个工作日）

公众反馈意见联系方式：

联系电话：0513-*

联系地址：南通高新区行政审批局项目投资科（通州区政务服务中心三楼高新区服务大厅）

电子邮件：*@*q.com

联系人：顾晨

邮编：*

听证告知：依据《中华人民共和国行政许可法》，自公告起五日内申请人、利害关系人可对上述拟作出建设项目环境影响评价文件批复决定要求听证。