集成电路制造用300毫米砷硅片及外延改造项目一阶段
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集成电路制造用300毫米砷硅片及外延改造项目一阶段
项目名称
集成电路制造用300 毫米砷硅片及外延改造项目（一阶段）
项目名称
集成电路制造用300 毫米砷硅片及外延改造项目（一阶段）
项目基本信息
本项目对现有一期项目进行技术改造，改造内容包括： 1）将部分硅片原料由自制硅棒改为外购含砷晶段，进行含砷硅片的生产（即硅片掺砷技改）； 2）将现有使用（混氢）磷烷和（混氢）硼烷的外延工艺，改为全部使用（混氢）砷烷，少量添加（混氢）磷烷和（混氢）硼烷的掺砷外延（即外延片掺砷技改）。 3）环保设施新增一套含砷废水处理系统，以及配备含砷废气处理设施。 项目分两阶段建设，其中硅片掺砷技改全部在二阶段实施，外延片掺砷技改分两阶段实施。
环评批文文号
沪自贸临管环保许评[2021]12号
电子邮箱
binbing.*@*ingsemi.com
施工期环保措施落实情况（pdf）
| 02 施工期环保措施落实报告 集成电路制造用300毫米砷硅片及外延改造项目.pdf | 点击下载 |
项目名称
集成电路制造用300 毫米砷硅片及外延改造项目（一阶段）
项目名称
集成电路制造用300 毫米砷硅片及外延改造项目（一阶段）
项目基本信息
本项目对现有一期项目进行技术改造，改造内容包括： 1）将部分硅片原料由自制硅棒改为外购含砷晶段，进行含砷硅片的生产（即硅片掺砷技改）； 2）将现有使用（混氢）磷烷和（混氢）硼烷的外延工艺，改为全部使用（混氢）砷烷，少量添加（混氢）磷烷和（混氢）硼烷的掺砷外延（即外延片掺砷技改）。 3）环保设施新增一套含砷废水处理系统，以及配备含砷废气处理设施。 项目分两阶段建设，其中硅片掺砷技改全部在二阶段实施，外延片掺砷技改分两阶段实施。
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沪自贸临管环保许评[2021]12号
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