一、建设项目名称及项目概况

1、项目名称：GaN自支撑衬底项目（一期工程）

2、项目建设单位：珠海方唯成半 (略)

3、项目建设内容、地址和规模：

珠海方唯成半 (略) 氮化镓自支撑衬底（一期工程），拟 (略) 香 (略) 三溪科创城发展中心三溪智造港 (略) 399号2栋1楼（项目中心位置：N22°17′52.800″，E113°19′33.312″），公司主要生产半导体材料衬底，开发和研究电子专用材料，规划产能为年产6000片毛片衬底，本次项目申报内容属于整体项目的试验阶段，主要通过试验测试，确保能够成功生产4.5吋氮化镓自支撑衬底后，再进行整体量产，实验测试氮化镓衬底数量为5片。项目总投资*元，其中环保投资*元；项目用地面积2253.1平方米，建筑面积2253.1平方米。

二、建设单位名称

建设单位：珠海方唯成半 (略)

联系人：王工

三、环境影响评价机构名称

评价单位： (略) (略)

联系人：戴工

四、环境影响评价工作程序

工作程序：接受建设项目委托——签订项目环评合同——现场踏勘——建设方提供项目相关资料——环境现状调查——进行资料的分析研究——编制环评报告表——报告表审批。

五、公众意见反馈方式

本次信息公示后，公众可通过电话、电子邮件等方式发表关于项目开发建设及环评公众的意见看法。

全本公示稿链接：http://**

提取码：skq9

珠海方唯成半 (略)

一、建设项目名称及项目概况

1、项目名称：GaN自支撑衬底项目（一期工程）

2、项目建设单位：珠海方唯成半 (略)

3、项目建设内容、地址和规模：

珠海方唯成半 (略) 氮化镓自支撑衬底（一期工程），拟 (略) 香 (略) 三溪科创城发展中心三溪智造港 (略) 399号2栋1楼（项目中心位置：N22°17′52.800″，E113°19′33.312″），公司主要生产半导体材料衬底，开发和研究电子专用材料，规划产能为年产6000片毛片衬底，本次项目申报内容属于整体项目的试验阶段，主要通过试验测试，确保能够成功生产4.5吋氮化镓自支撑衬底后，再进行整体量产，实验测试氮化镓衬底数量为5片。项目总投资*元，其中环保投资*元；项目用地面积2253.1平方米，建筑面积2253.1平方米。

二、建设单位名称

建设单位：珠海方唯成半 (略)

联系人：王工

三、环境影响评价机构名称

评价单位： (略) (略)

联系人：戴工

四、环境影响评价工作程序

工作程序：接受建设项目委托——签订项目环评合同——现场踏勘——建设方提供项目相关资料——环境现状调查——进行资料的分析研究——编制环评报告表——报告表审批。

五、公众意见反馈方式

本次信息公示后，公众可通过电话、电子邮件等方式发表关于项目开发建设及环评公众的意见看法。

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