建设地点： (略) 顺义区高丽营镇中关村科技园区顺义园三代半产业基地（顺义新城3401街区）内
公示时间：2024-06-13至2024-06-19
受理时间：2024-06-13
项目概况：碳化硅（SiC）是宽禁带（Wide Band Gap）半导体材料的典型代表，具有高禁带宽度、高击穿场强和高热导率等优良特性，成为制作高温、高频和大功率电力电子器件的理想半导体材料。随着6英寸和8英寸碳化硅（SiC）晶圆在国际上的大规模投产，必将快速推进形成绿色节能的碳化硅（SiC）半导体产业链，更能为电力电子芯片产品的升级提供核心保证。泰科天润半导体科技（北京）有限公司依托多年的技术积累、工艺积累、市场资源积累、技术研发团队等资源，积极开展总部及碳化硅器件研发生产基地项目建设。根据《 (略) 非政府投资工业和信息化固定资产投资项目备案变更证明》（京顺经信局备〔2023〕41号），项目具体建设内容如下：建设良好的厂房及配套设施，总建筑面积*.69平方米；建设产业化生产线，购置各类研发生产所需的软硬件设备搭建6-8英寸碳化硅器件研发、生产制造及封装加工生产线，加工线宽0.35-0.5μm，通线投产可实现年处理*片碳化硅晶圆的生产能力，未来持续追加投资后，满产可实现年处理*片/年碳化硅晶圆的生产能力。本次环评分为两个阶段进行评价，一阶段工程建成后全厂生产能力为年处理*片碳化硅晶圆，二阶段工程新增全厂生产能力为年处理*片碳化硅晶圆，二阶段工程完成后全厂生产能力为年处理*片碳化硅晶圆，其中一阶段工程不包括封装工序，二阶段工程增加封装工序，二阶段建成后具备*片封装生产能力。
行政相对人名称：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
联系人：张鹏飞
联系电话：*
审批部门：顺义区生态环境局
邮政编码：*
邮寄地址： (略) 顺义区复 (略)
传真电话：*
设定依据：1、《中华人民共和国环境保护法》第十九条、第四十一条、第六十一条、第六十三条。2、《中华人民共和国环境影响评价法》第二十二条、第二十三条、第二十四条、第二十五条。3、《中华人民共和国大气污染防治法》第十八条、第二十二条。4、《中华人民共和国水污染防治法》第十九条。5、《中华人民共和国环境噪声污染防治法》第十三条。6、《中华人民共和国固体废物污染环境防治法》第十三条、第十四条。7、《中华人民共和国放射性污染防治法》第二十九条。8、《建设项目环境保护管理条例》第六条。

建设地点： (略) 顺义区高丽营镇中关村科技园区顺义园三代半产业基地（顺义新城3401街区）内
公示时间：2024-06-13至2024-06-19
受理时间：2024-06-13
项目概况：碳化硅（SiC）是宽禁带（Wide Band Gap）半导体材料的典型代表，具有高禁带宽度、高击穿场强和高热导率等优良特性，成为制作高温、高频和大功率电力电子器件的理想半导体材料。随着6英寸和8英寸碳化硅（SiC）晶圆在国际上的大规模投产，必将快速推进形成绿色节能的碳化硅（SiC）半导体产业链，更能为电力电子芯片产品的升级提供核心保证。泰科天润半导体科技（北京）有限公司依托多年的技术积累、工艺积累、市场资源积累、技术研发团队等资源，积极开展总部及碳化硅器件研发生产基地项目建设。根据《 (略) 非政府投资工业和信息化固定资产投资项目备案变更证明》（京顺经信局备〔2023〕41号），项目具体建设内容如下：建设良好的厂房及配套设施，总建筑面积*.69平方米；建设产业化生产线，购置各类研发生产所需的软硬件设备搭建6-8英寸碳化硅器件研发、生产制造及封装加工生产线，加工线宽0.35-0.5μm，通线投产可实现年处理*片碳化硅晶圆的生产能力，未来持续追加投资后，满产可实现年处理*片/年碳化硅晶圆的生产能力。本次环评分为两个阶段进行评价，一阶段工程建成后全厂生产能力为年处理*片碳化硅晶圆，二阶段工程新增全厂生产能力为年处理*片碳化硅晶圆，二阶段工程完成后全厂生产能力为年处理*片碳化硅晶圆，其中一阶段工程不包括封装工序，二阶段工程增加封装工序，二阶段建成后具备*片封装生产能力。
行政相对人名称：泰科天润半导体科技（北京）有限公司
联系人：张鹏飞
联系电话：*
审批部门：顺义区生态环境局
邮政编码：*
邮寄地址： (略) 顺义区复 (略)
传真电话：*
设定依据：1、《中华人民共和国环境保护法》第十九条、第四十一条、第六十一条、第六十三条。2、《中华人民共和国环境影响评价法》第二十二条、第二十三条、第二十四条、第二十五条。3、《中华人民共和国大气污染防治法》第十八条、第二十二条。4、《中华人民共和国水污染防治法》第十九条。5、《中华人民共和国环境噪声污染防治法》第十三条。6、《中华人民共和国固体废物污染环境防治法》第十三条、第十四条。7、《中华人民共和国放射性污染防治法》第二十九条。8、《建设项目环境保护管理条例》第六条。