项目编号:2211-*-04-05-*
项目名称:南昌凯迅光电股份有限公司高端化合物材料及器件扩建项目
建设项目所属区域:江西省, (略) ,临空开发区
建设规模及内容:本项目拟建第五代高效率太阳电池芯片、红光micro-LED及光通讯激光器外延片、芯片*片，扩建太阳电池4寸外延片增至*片，正极性LED 707亿粒。本项目投资总额：*万元，项目建设期为60个月，本项目工艺方案主要包括外延片和芯片生产工艺，其中， MOCVD增至22台，关键设备投资*万元。新建生产厂房建筑面积约*㎡ ；新建一栋6层保障性职工宿舍，建筑面积约5088m2，共83套，每套约30m2， ；新建*类仓库建筑面积约155㎡；新建危废仓库建筑面积280.7㎡；废水站日处理能力由600t/d扩容至2200t/d；|&|&|项目投资总额：*万元。
项目总投资(万元):*.2

项目编号:2211-*-04-05-*
项目名称:南昌凯迅光电股份有限公司高端化合物材料及器件扩建项目
建设项目所属区域:江西省, (略) ,临空开发区
建设规模及内容:本项目拟建第五代高效率太阳电池芯片、红光micro-LED及光通讯激光器外延片、芯片*片，扩建太阳电池4寸外延片增至*片，正极性LED 707亿粒。本项目投资总额：*万元，项目建设期为60个月，本项目工艺方案主要包括外延片和芯片生产工艺，其中， MOCVD增至22台，关键设备投资*万元。新建生产厂房建筑面积约*㎡ ；新建一栋6层保障性职工宿舍，建筑面积约5088m2，共83套，每套约30m2， ；新建*类仓库建筑面积约155㎡；新建危废仓库建筑面积280.7㎡；废水站日处理能力由600t/d扩容至2200t/d；|&|&|项目投资总额：*万元。
项目总投资(万元):*.2