备案项目编号:2406-*-04-01-*
项目名称:氮化镓、碳化硅半导体器件及模块的封装测试技术平台建设
项目所在地: (略) 黄埔区 (略) 黄埔区九龙镇中新广州知识城九龙大道以东、广 (略) 以北Z SCKD-D1-1地块 中新广州知识城
项目总投资:5000.*元
项目规模及内容:平台建设规模:两千平方米 主要内容:氮化镓和碳化硅半导体器件 (略) 建设 产品名称:氮化镓和碳化硅半导体器件和模块的封装技术 设计生产能力:平台专注于氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的大功率模块封装技术，主要解决功率模块的封装结构、封装互连材料、模块寄生和散热管理四大技术难题。实验室每年最高可进行超过2000次的封装工艺测试和验证。 主要设备选型及技术标准:GaN MOSFET和SiC MOSFET
建设单位:西安电子科技大 (略)
备案机关:黄埔区发展和改革局
备案申报日期:2024/06/20 15:45:26
复核通过日期:2024-06-24
项目起止年限:2024-06-01至2024-12-01
项目当前状态:办结（通过）

备案项目编号:2406-*-04-01-*
项目名称:氮化镓、碳化硅半导体器件及模块的封装测试技术平台建设
项目所在地: (略) 黄埔区 (略) 黄埔区九龙镇中新广州知识城九龙大道以东、广 (略) 以北Z SCKD-D1-1地块 中新广州知识城
项目总投资:5000.*元
项目规模及内容:平台建设规模:两千平方米 主要内容:氮化镓和碳化硅半导体器件 (略) 建设 产品名称:氮化镓和碳化硅半导体器件和模块的封装技术 设计生产能力:平台专注于氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的大功率模块封装技术，主要解决功率模块的封装结构、封装互连材料、模块寄生和散热管理四大技术难题。实验室每年最高可进行超过2000次的封装工艺测试和验证。 主要设备选型及技术标准:GaN MOSFET和SiC MOSFET
建设单位:西安电子科技大 (略)
备案机关:黄埔区发展和改革局
备案申报日期:2024/06/20 15:45:26
复核通过日期:2024-06-24
项目起止年限:2024-06-01至2024-12-01
项目当前状态:办结（通过）